곽노정 SK하이닉스 사장 “메모리 반등…내년엔 흑자전환할 것”

[이데일리 김응열 기자] 곽노정 SK하이닉스(000660) 대표이사 사장이 회사의 전사 영업이익 흑자전환 가능성에 관해 좀 더 지켜봐야 한다며 신중한 입장을 내비쳤다.

곽 사장은 2일 오후 고려대학교에서 ‘메모리 반도체의 비전과 인재 육성’을 주제로 특별 강연을 한 뒤 취재진과 만나 “평균판매가격(ASP)의 추세를 더 두고 볼 필요가 있다”며 이같이 말했다.

그러면서 “시황이 이제 반등을 시작했고 반등의 신호일 뿐이기에 좀 더 보겠다”며 “구체적 시점을 예상하기는 어렵지만 전사 흑자로 돌아서는 건 내년이 되긴 할 것”이라고 덧붙였다.

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 2일 고려대에서 특별 강연을 진행하고 있다. (사진=SK하이닉스)

이날 모교 학생들을 만난 데에 관해서도 “학생들이 반도체에 이해가 깊고 많은 열정도 느꼈다”며 “미래가 기대되고 든든한 마음도 들었다”고 언급했다. 곽 사장은 고려대 재료공학과를 졸업한 뒤 재료공학 석사·박사를 마쳤다.

곽 사장은 고려대 공과대학 설립 60주년 기념 특별 강연에 초청을 받아 연단에 올랐다. 곽 사장은 “4차 산업혁명 시대의 핵심 인프라는 바로 반도체”라며 “인터넷부터 모바일, 빅데이터, 클라우드, 인공지능(AI)과 같은 수많은 첨단기술에 메모리 반도체가 핵심적인 역할을 하는 만큼 기술 발전 속도가 높아지면서 메모리 시장은 꾸준히 우상향하며 성장할 것”이라고 강조했다.

아울러 SK하이닉스의 메모리를 환경(Environment), 기술(Technology), 응용(Application) 등 세 부분으로 나눠 소개했다.

곽 사장은 “기후 변화와 환경 오염 등으로 인해 특히 환경(E) 분야에 대한 관심이 높아졌다”며 “크게는 친환경 반도체 생산과 저전력 솔루션 제품 확대 등 두 가지 방향으로 이산화탄소 배출 저감 노력을 하고 있다”고 강조했다.

기술에 관해서는 D램과 낸드플래시로 나눠 회사의 기술 개발 현황을 공유했다. 그는 “D램에서는 회로 선폭 10nm(나노미터)의 한계를 극복하기 위한 경쟁을 하고 있다”며 “공정 미세화와 함께 3D D램 기술을 동시에 준비하고 있다”고 언급했다.

낸드를 두고는 “500단 이후가 어려운 도전이 될 것”이라며 “더 높게 쌓기 위한 기술과 함께 측면 스케일링(Scaling)에 필요한 웨이퍼 본딩(Wafer Bonding) 기술 개발도 병행 중”이라고 했다.

아울러 적층상 한계를 극복하기 위해 데이터 저장 방식을 TLC(Triple Level Cell)에서 QLC(Quad Level Cell), PLC(Penta Level Cell) 등 다중 저장 방식으로 전환하기 위한 기술도 대안으로 검토하고 있다고 부연했다.

이어 곽 사장은 고대역폭메모리(HBM)과 모바일 D램, 가상현실(VR) 기기용 초저전력 메모리 등 일부 성능에 특화된 메모리 반도체가 많아질 것이라고 내다봤다. 그는 “메모리는 맞춤형으로 진화하고 있고 특정 성능에 특화된 메모리가 요구되고 있다”며 “고객별 다양한 요구를 만족시킬 수 있는 차별화된 ‘시그니처 메모리’를 만들어갈 것”이라고 했다.

또 “지난 10년 동안 HBM을 준비해 왔듯 제2, 제3의 HBM이 될 수 있는 PIM, CXL 기반 이머징 메모리(Emerging Memory) 개발에도 많은 노력을 기울이고 있다”며 추가적인 메모리 개발에 나설 것을 예고했다.