이번 특허는 디스플레이 공정에 쓰이는 건식식각장비(드라이에처) 상하부 사이에 브릿지 안테나를 배치, 장비 내부 절연창 및 프레임바 등 필수 구성물과 안테나 간 간섭을 줄이는 한편, 연결 안테나 높이를 조절할 수 있는 기술이다.
이는 공정공간 안에서 형성되는 플라즈마 균일도와 장비 내구성을 향상시키는 효과와 함께 플라즈마 밀도의 정밀한 조절도 가능하게 한다. 현재 인베니아가 개발 중인 차세대 대면적 OLED(유기발광다이오드) 및 LCD(액정표시장치) 공정용 건식식각장비에 적용될 예정이다.
인베니아 관계자는 “핵심 장치인 안테나를 자체 개발해 식각 속도가 빠르고 균일성이 뛰어난 차세대 유도결합형플라즈마(ICP: Inductive Coupled Plasma) 방식 건식식각장비 기술 경쟁력을 확보했다”고 말했다.