삼성전자는 2일 이사회를 열고 중국 시안시 고신기술산업 개발구에 들어설 반도체 신규라인 건설을 위해 자본금 23억달러(한화 약 2조6000억원)를 출자하기로 결정했다고 밝혔다.
건물 건설 등에 필요한 초기 23억달러 출자에 이어, 앞으로 수년 동안 단계적으로 총 70억달러를 투자할 계획이다. 이번 투자는 삼성전자의 해외 반도체 생산라인 단일 규모로는 역대 최대에 해당한다.
삼성전자는 이른 시일 안에 중국과 생산·고용 규모 등 세부 협상을 마무리 짓고, 올해 안에 생산라인 건설에 착수, 오는 2013년부터 10나노급 낸드 플래시를 양산할 예정이다.
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