삼성기술원, 테라비트 플래시메모리 기술개발

[edaily 김수헌기자]삼성종합기술원이 테라비트급 플래시메모리 기술을 개발했다. 삼성종기원 김정우박사 연구팀은 13일 서울대 박영국 교수팀과 공동으로 30nm(나노미터)의 극미세선폭을 갖는 메모리용 소자를 개발했다고 밝혔다. 세계적으로 반도체 업계에 사용되는 메모리 소자들은 현재 130nm에서 90nm 크기로 바뀌고 있는 추세로, 90nm 크기의 소자를 사용한 메모리의 저장 용량이 2기가비트(Gb)인데 비해 김박사팀이 개발한 소자는 1000Gb(테라비트)까지 가능하다. 김박사는 "앞으로 4~5년 후면 봉착하게 될 플래시메모리의 집적도 한계를 극복할 수 있는 전기가 마련된 것"이라고 설명했다.특히 공정이 단순하고 제조원가가 낮은 등 가격 경쟁력이 뛰어난 장점을 갖추고 있다고 소개했다. 현재 플래시메모리는 비휘발성 메모리 시장의 75%를 차지하고 있으며 휴대폰, PDA(개인휴대용단말기), 디지털 카메라, MP3 플레이어 등 다양한 제품에 적용할 수 있다. 최근에는 자동차, 디지털 가전, TV셋톱박스, 네트워크 장비 등으로 응용 범위가 확대되는 추세다