세계적인 LED제조업체인 브릿지룩스는 실리콘 기반의 LED 기술을 개발했다고 14일 밝혔다.
와트(W)당 135 루멘의 성능을 낼 수 있는 `GaN-on-Silicon`(질화갈륨- 온 - 실리콘)기반이다. 350mA에서 2.90V, 1Amp에서 3.25V 미만의 전력이 소요될 정도로 동작 전압이 매우 낮다는 것이 회사 측 설명이다.
브릿지룩스는 낮은 순방향 전압과 우수한 내열 성능으로 고성능 LED와 LED 조명을 구현할 수 있게 됐다고 밝혔다. 8인치 실리콘 웨이퍼상에서 `에피택시 공정 최적화`를 실현, 기존 반도체 라인에서도 LED 제조가 가능하게 됐다.
회사 측은 실리콘 기반 LED를 위한 업계 최초의 상용 등급 성능으로, 현재 이용되는 방식보다 비용을 약 75%가량 절감할 수 있다고 강조했다.
다만 성능이 사파이어보다 좋지 않다는 문제점이 있었다. 그러나 브릿지룩스가 내놓은 와트당 135루멘이라면 매우 우수한 고효율 LED이라는 것이 LED 관련업계 평가다.
브릿지룩스는 현재 세계적인 유명 반도체 기업들과 8인치 반도체 제조 팹 운영에 대해 협의를 벌이고 있다.
브릿지룩스 관계자는 "실리콘 기판으로의 전환은 LED 산업에 있어서 혁신적인 계기가 될 것"이라며 "향후 2~3년 뒤 양산에 들어갈 계획"이라고 덧붙였다.
이어 "상업 및 사무용 조명, 가정용 애플리케이션 및 대체 조명처럼 가격에 민감한 시장도 빠른 속도로 대체할 수 있을 것"이라고 덧붙였다.
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