12일 시장조사기관인 IC인사이츠는 올해와 내년 웨이퍼(200㎜ 기준) 캐파 성장률이 8%를 기록할 것으로 전망했다. 2017~22년까지 6년간 연평균 성장률은 6%로, 2012~17년 평균 성장률(4.8%)보다 1.2%포인트 높아질 것으로 내다봤다.
특히 IC인사이츠는 내년 신규로 추가되는 웨이퍼는 1810만장(200mm 기준)에 달해 2007년(1880만장) 이후 가장 많이 늘어날 것으로 전망했다. 이번 조사는 중국 기업들의 팹 증설은 감안하지 않은 것으로, 중국의 ‘반도체 굴기(堀起·우뚝 일어섬)’가 당초 계획대로 추진된다면 2007년 수준을 넘어설 것으로 보인다.
둥근 원판 형태의 웨이퍼는 반도체의 근간이 되는 소재다. D램, 낸드 등 메모리반도체는 웨이퍼를 재료로 생산되기 때문에 웨이퍼 생산량 증가는 반도체 공급이 확대된다는 의미로 해석 가능하다. 통상 D램은 웨이퍼 한 장에서 DDR4 8Gb 기준 1000개 이상 칩을 얻을수 있다. 이 같은 웨이퍼 생산량 증가는 삼성전자(005930), SK하이닉스(000660), 마이크론, 인텔, 도시바 등 주요 메모리업체들이 밝혔던 생산라인 증설 계획과 맥을 같이 하고 있다.
미세공정 전환을 통한 비트(bit) 생산성 향상이 한계에 다다른 것도 웨어퍼 투입이 늘어난 배경으로 꼽힌다. 장비가 늘어나고 공정 수가 증가하면서 재공기간이 길어진 만큼, 수요에 맞춰 제때 공급하려면 더 많은 웨이퍼를 투입해야 하는 것이다.
업계 관계자는 “메모리업체들의 지속적인 공급 확대 노력에도 메모리 수요가 계속 늘어나고 있어 수급 상황은 앞으로도 계속 타이트할 것으로 보인다”면서 “업체들이 공급량을 늘려도 적기 대응이 거의 불가능한 상황에서 공급 과잉을 걱정하기는 이르다”고 말했다.