SK하이닉스 "고효율 AI메모리 개발…HBM4 적기에 공급"

[이데일리 김소연 기자] 김주선 SK하이닉스(000660) AI 인프라 담당 사장은 4일 “인공지능(AI) 기술의 지속 발전을 위해서는 열 문제를 해결하기 위한 효과적인 방안을 찾아야 한다”며 “SK하이닉스는 파트너들과 함께 고용량, 고성능에도 전력 사용량을 최소화해 열 발생을 줄일 수 있는 고효율 AI 메모리 개발을 시도하고 있다”고 강조했다.

김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당 사장이 4일 대만 타이베이에서 열린 세미콘 타이완에 참석해 CEO 서밋에서 기조연설을 하고 있다. (사진=SK하이닉스)

김 사장은 대만 타이베이에서 열린 세미콘 타이완에 참석해 최고경영자(CEO) 서밋에서 ‘AI 메모리 기술의 새로운 가능성을 열다’를 주제로 기조연설을 했다. 그는 “AI 기술이 발전할수록 메모리 대역폭 향상에 대한 요구가 점점 더 커지고 있다”며 “전력과 방열, 메모리대역폭과 관련된 난제를 해결해야 한다”고 말했다.

SK하이닉스는 현재 5세대 고대역폭메모리(HBM3E), 고용량 서버 DIMM, QLC(쿼드러플레벨셀) 기반 고용량 eSSD(기업용 솔리드스테이트드라이브)와 모바일용 저전력 D램인 LPDDR5T를 시장에 공급하고 있다. 김 사장은 “올해 초부터 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급 중고, 이번달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 계획”이라며 “일반 서버와 비교해 AI 서버는 4배 이상의 메모리 용량이 필요한데, 이를 위해 회사는 TSV 기술 기반 서버용 256GB DIMM을 공급 중”이라고 설명했다.

또 SK하이닉스가 QLC 기반 고용량 eSSD를 양산하는 유일한 공급업체로, 향후 전력 효율과 공간 최적화에 크게 기여할 120TB 모델을 선보일 계획도 밝혔다. 김 사장은 “LPDDR5T는 초당 9.6기가비트의 속도로 데이터를 처리하는 온디바이스 AI에 최적화된 제품”이라며 AI 시장에서 요구하는 고효율의 메모리를 개발하고 있다고 현황을 강조했다.

차세대 기술 개발 역시 순조롭게 진행되고 있다는 설명이다. 김 사장은 “HBM4를 고객 요구에 맞춰 적기에 공급할 수 있도록 순조롭게 개발 중”이라며 “HBM4는 TSMC와 협업을 통해 생산할 예정으로 최고의 성능을 발휘하게 될 것”이라고 했다. 이어 “LPCAMM(저전력 컴프레션 어태치드 메모리 모듈), CXL(컴퓨트 익스프레스 링크), 512GB(기가바이트) 고용량 DIMM 등 차세대 메모리 제품을 착실히 준비하고 있다”며 “최대 40Gbps를 지원하는 업계 최고 성능의 GDDR7을 양산할 준비가 마무리 단계에 들어섰고, 혁신적인 대역폭과 전력을 갖춘 LPDDR6도 개발하고 있다”고 말했다.

SK하이닉스는 올해 초부터 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급 중이다. 이번달 말부터는 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 계획이다. SK하이닉스는 베이스 다이에 로직기술을 처음으로 적용하는 HBM4부터는 TSMC와 협력을 더 강화하기로 했다. HBM 1위 주도권을 놓치지 않기 위해 TSMC와의 협력을 지속적으로 강화한다는 계획이다.

아울러 인프라 투자도 계획대로 진행한다는 설명이다. 김 사장은 “SK하이닉스는 부지조성 공사가 순조롭게 진행 중인 용인 반도체 클러스터에 최첨단 생산시설을 구축할 예정”이라며 “이곳을 기반으로 글로벌 여러 파트너들과 긴밀한 협력을 나누게 될 것”이라고 강조했다. 이어 미국 인디애나 공장 역시 언급했다. 그는 “2028년 양산을 목표로 미국 인디애나에 첨단 패키지 공장과 R&D 시설을 건설할 계획”이라며 “주요 고객 및 파트너들과의 협력을 강화하는데 도움이 될 것”이라고 부연했다. AI 기술 발전을 위해 파트너들과 협력하겠다는 입장이다.