이정배 삼성전자 사장 "반도체 험난한 미래…업계 협력 필수"

[이데일리 신중섭 기자] “미래에는 성능향상과 전력 효율화, 공정 미세화 측면에서 그 어느 때보다도 험난한 한계를 극복해야만 시장이 요구하는 제품을 선보일 수 있을 것입니다. 기술의 벽을 뛰어넘을 수 있는 방법은 하나, 바로 ‘업계의 협력’입니다.”

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 27~29일 사흘간 서울 삼성동 코엑스에서 열리는 제23회 반도체대전(SEDEX 2021)를 앞두고 ‘반도체, 포스트코로나의 미래를 그리다’라는 주제로 기조연설에 나서 이같이 말했다.

이정배 삼성전자 사장이 제23회 반도체대전 기조연설을 하고 있다.(사진=SEDEX 2021 캡처)

한국반도체산업협회장을 맡고 있는 이 사장은 26일 “미래 대응을 위한 반도체 역할은 더욱 중요해지고 있지만, 기술적 어려움은 점점 더 커지고 있다”며 “특히 반도체의 숙명인 미세공정 개발은 헌신적인 개발자들의 노력과 소재·부품·장비에서의 끊임없는 혁신으로 극복해왔지만 앞으로는 더욱 큰 장벽이 예상되고 있다”고 전망했다.

이 사장은 “로직 공정의 경우 파운드리(반도체 위탁생산) 경쟁이 치열해지면서 7나노(1nm=10억분의 1m)부터 3나노까지 지속적인 공정개발을 이뤄냈으며 최근에는 2나노 공정 확보를 위한 기술개발이 한창 진행 중이지만 1나노 이하 기술확보까지는 더 많은 시간이 필요할 것으로 보인다”며 “공정 미세화 속도 역시 느려지고 있으며, 단위면적당 원가도 계속 증가하고 있기 때문에 경제성 측면에서도 해결책이 시급한 상황”이라고 지적했다.

D램과 낸드플래시 등 메모리반도체 또한 마찬가지의 상황으로 봤다. 이 사장은 “D램은 20나노의 벽을 넘어 14나노 제품이 양산 초입에 있으나 과거에 비해 공정의 세대전환 속도가 더 느려지고 있다”며 “10나노 이하 공정기술 확보를 위한 해결책을 마련해야 하는 시간도 얼마 남지 않았다”고 말했다. 이어 “낸드플래시의 경우 셀을 수직으로 적층하는 V낸드 도입으로 혁신을 이뤄냈지만 1000단 이상의 적층기술 확보를 위한 또 다른 혁신 준비해야 할 때”라고 덧붙였다.

이처럼 앞으로 직면할 ‘기술의 벽’을 뛰어넘기 위해선 반도체 업계의 협력이 필수적이라고 강조했다. 이 사장은 “우리가 마주하고 있고 앞으로 직면할 기술의 벽을 뛰어넘을 수 있는 방법은 하나”라며 “새로운 제품과 응용으로 더 나은 미래를 만드는 반도체를 위해서는 업계 내 모두의 협력이 필요하다”고 힘줘 말했다.

특히 소재·부품·장비의 역할이 더욱 중요해질 것이라고 강조했다. 이 사장은 “지금까지 반도체 산업은 설계·공정기술과 장비·재료·부품의 협력을 통해 발전해왔다”며 “기술 난제들의 극복을 위해선 그 어느 때보다 소재·부품·장비의 역할에 주목해야 한다”고 말했다.

아울러 ‘인력 양성’을 위한 투자가 필요하다고 강조했다. 이 사장은 “다양한 기술활동 이뤄지고 있는 가운데 우리가 간과할 수 없는 건 바로 포스트코로나 시대를 이끌어 갈 인력양성”이라며 “정부에서도 중장기계획을 수립하고 다양한 투자와 노력을 아끼지 않고 있으며, 기업과 학계도 산학 연구과제를 통한 기술개발과 반도체 계약학과 신설, 전문가트랙 운영으로 전문인력 양성을 위해 노력하고 있다”고 말했다. 그러면서 “이런 모든 노력과 투자가 단기간의 구호가 아닌 반도체 생태계를 더욱 강화해 선순환 시스템으로 자리 잡을 때까지 우리 모두는 지속적인 관심 기울여야 한다”고 했다.