11일 삼성전자에 따르면 이번 256Gb V낸드는 데이터를 저장하는 ‘3차원 셀(Cell)’을 기존(32단)보다 1.5배 더 쌓아 올리는 삼성전자의 ‘3세대(48단) V낸드 기술’이 적용된 업계 최고 용량의 메모리 칩이다.
삼성전자는 작년 8월 2세대(32단) 3비트 V낸드를 생산한지 1년만에 3세대 3비트 V낸드를 본격 양산하는데 성공했다.
삼성전자는 특히 2013년 8월 업계 최초로 V낸드 양산에 성공한 이후 매년 한 세대씩 진화한 제품을 내놓으면서 경쟁사들과의 기술 격차를 벌이고 있다. 도시바는 현재 3차원 V낸드 개발을 완료하고 양산을 준비 중이며 SK하이닉스(000660)는 올해말까지 기술 개발을 완료할 계획이다.
이번에 양산에 들어간 ‘256기가비트 V낸드’는 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(GB) 용량의 메모리카드를 만들 수 있다. 또한 기존 128기가비트 낸드가 적용된 SSD와 같은 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있다. 게다가 소비 전력량도 30% 이상 줄였다.
삼성전자는 지난해 글로벌 SSD 시장에서 34%의 점유율을 기록해 2위인 인텔(17%)을 2배차로 따돌렸다. 시장조사업체 IHS테크놀로지에 따르면 SSD 시장에서 V낸드 비중이 올 연말 7.4%에서 2016년 29.6%, 2019년 77.2%까지 확대될 예정인 만큼 삼성전자의 리더십은 더욱 강화될 것으로 예측된다.
업계 관계자는 “삼성전자의 256Gb 3차원 V낸드 출시는 낸드플래시 메모리 시장이 더 확대되는 계기를 마련했다는 점에서 의미가 있다”면서 “특히 시장 파이가 커지면서 SSD 대중화 속도가 더 빨라질 것”이라고 말했다.
삼성전자는 엔터프라이즈 및 데이터센터 시장 확대를 위해 기존 2세대 32단 3비트 V낸드 기반의 대용량 SSD 모델을 글로벌 IT고객에게 공급한데 이어, 세계 각국의 현지 로컬 기업까지 공급을 확대 하는 등 용량과 성능을 높인 차세대 SSD 라인업을 지속적으로 출시할 예정이다. 또한 2테라바이트 이상의 소비자용 대용량 SSD도 새롭게 출시해 SSD 시장점유율을 지속적으로 높여나갈 계획이다.
*3차원 V낸드: 평면(2차원) 위에 많은 회로를 넣는 대신 3차원 수직구조로 회로를 쌓아올려 집적도를 높인 플래시메모리 기술이다. 기존 평면 낸드와 비교해 속도·내구성·생산성 모두 앞선다. 하드디스크드라이브(HDD)를 대체하는 솔리드스테이트드라이브(SSD)으로 핵심부품으로 각광받고 있다. 2013년 8월 삼성전자가 세계 최초로 3차원 V낸드 양산에 성공했다.
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