SK, 세계 첫 '6세대 D램' 개발…초미세공정 경쟁 격화

[이데일리 김정남 기자] SK하이닉스가 현존 D램 중 가장 미세화한 10나노급 6세대 1c(11~12나노) 공정 기술 개발에 세계 최초로 성공했다. 이에 따라 삼성전자와의 D램 극미세화 공정 경쟁이 불붙을 전망이다.

(그래픽=김정훈 기자)

SK하이닉스(000660)는 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는데 성공했다고 29일 밝혔다. 업계에서는 전작인 5세대 1b 제품이 12나노인 점을 감안하면, 신제품은 11나노 수준인 것으로 관측하고 있다.

그 핵심은 10나노대에서 가장 초반이라고 평가받는 1c 기술에 있다. 최근 10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도는 극도로 높아졌다. 이에 SK하이닉스는 5세대 1b 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파했다. 1c 기술은 DDR5 D램에 처음 적용해 내년부터 양산에 돌입할 계획이다. 이후 7세대 고대역폭메모리(HBM) HBM4E를 비롯해 LPDDR6, GDDR7 등 인공지능(AI) 시대의 최첨단 D램 주력 제품군으로 확대 적용할 예정이다. 김종환 SK하이닉스 부사장은 “최고 성능과 원가 경쟁력을 충족시킨 1c 기술을 통해 고객에 차별화한 가치를 제공할 것”이라고 했다.

SK하이닉스가 먼저 치고 나갔지만, 삼성전자 역시 초미세화 공정 기술에 매진하고 있다. 삼성전자는 앞서 지난 3월 미국에서 열린 세계적인 반도체 학회 ‘멤콘 2024’에서 1c 기술을 적용한 D램 양산을 올해 말로 제시했다. 양산 시기만 보면 SK하이닉스보다 더 빠른 셈이다.

범진욱 서강대 전자공학과 교수는 “AI 시대 들어 D램은 여러모로 많이 쓰인다”며 “한국 기업들이 D램 기술 경쟁을 한다는 것은 한국이 시장 주도권을 잡는다는 뜻이어서 반가운 소식”이라고 했다.