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삼성전자가 이번에 개발한 차세대 5나노 공정은 셀 설계 최적화를 통해 기존 7나노 공정 대비 로직 면적을 25% 줄일 수 있다. 또 20% 향상된 전력 효율 또는 10% 향상된 성능을 제공한다. 특히 7나노 공정에 적용된 설계 자산(IP·Intellectual Property)을 활용할 수 있어 기존 7나노 공정을 사용하는 고객은 5나노 공정의 설계 비용을 줄일 수 있다.
삼성전자는 7나노 및 6나노 파운드리 공정도 양산을 본격화하고 있다. 올 초 업계 최초로 EUV공정을 적용한 7나노 제품 양산을 시작했고 이달 중에 본격 출하할 계획이다. 6나노 공정 기반 제품에 대해서는 대형 고객과 생산 협의를 진행하고 있으며 제품 설계가 완료(Tape-Out)돼 올 하반기 양산할 예정이다.
이번 초미세 공정의 기반이 된 EUV(극자외선) 기술은 기존 불화아르곤(ArF)보다 파장의 길이가 짧은 EUV 광원을 사용해, 보다 세밀한 반도체 회로를 구현할 수 있는 것이 특징이다. 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄여 성능과 수율(양품 비율)을 높일 수 있다.
삼성전자는 이런 서비스 및 생산기술이 국내 팹리스 업체들이 글로벌 시장에서 경쟁할 수 있는 시스템 반도체를 내놓는 데 도움을 줄 것으로 보고 있다.
배영창 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 부사장은 “삼성전자의 EUV 기반 최첨단 공정은 성능과 IP 등에서 다양한 강점을 가지고 있어 5G(5세대 이동통신), AI(인공지능), 전장(전자 장비) 등 신규 응용처를 중심으로 높은 수요가 예상된다”라며 “향후에도 첨단 공정 솔루션으로 미래 시스템 반도체 산업을 이끌어 나가겠다”고 말했다.
한편 삼성전자는 최신 파운드리 생산시설인 화성캠퍼스 S3 라인에서 EUV 기반 최첨단 공정 제품을 생산하고 있다. 현재 건설 중인 화성캠퍼스 EUV 전용 라인을 내년부터 본격 가동할 계획이다.