하이닉스, 30나노급 4기가비트 DDR3 D램 개발[TV]

  • 등록 2010-12-29 오후 7:16:49

    수정 2010-12-29 오후 7:16:49

[이데일리TV 이미지 기자]

                     

하이닉스반도체(000660)가 30나노급 기술을 적용한 고용량의 4기가비트 DDR3 D램을 개발했습니다.

30나노급 D램은 40나노급보다 생산성이 70% 가량 높아져 원가경쟁력이 강화됩니다.


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