RFHIC, 질화갈륨 반도체 집적회로 국산화 과제에 선정

[이데일리 권효중 기자] RFHIC(218410)는 산업통상자원부와 국방부가 방위산업 소재·부품·장비(소부장)업체 육성을 위해 진행한 ‘엑스밴드(X-band) 질화갈륨(GaN) 반도체 집적회로’ 관련 국산화 과제에 선정됐다고 3일 밝혔다.

‘엑스밴드(X-band) 질화갈륨 반도체 초고주파 집적회로(GaN MMIC)’는 한국형 전투기(KF-X)등에 장착되는 레이더에 적용하는 핵심부품이다.

국내 질화갈륨(GaN) 관련 사업 선두주자인 RFHIC는 이번 과제에서 총괄사업자를 맡아 안정적인 과제 수행을 이끌게 된다. 여기에 SK실트론이 탄화규소(SiC) 기판 및 질화갈륨(GaN) 에피(Epi) 제작에 참여하고, LIG넥스원은 시스템 제작 및 검증에 참여하여 과제 성공을 위한 ‘소부장 공급망(Supply Chain)’을 완성했다.

현재 SiC 소재에서 시스템까지 질화갈륨 공급망(GaN Supply Chain)을 구축한 국가는 미국과 중국 뿐이고, 그 중 제품화에 성공한 곳은 미국이 유일하다.

이번 과제에는 반도체 미세공정을 적용하기 때문에 엑스밴드(X-band)외에 쿠밴드(Ku-band), 카밴드(Ka-band)까지 국산화가 가능하다. 이를 통해 군용뿐 아니라 5세대(5G) 통신장비 및 위성통신에도 적용이 가능하다.

현재 시장조사업체 마켓앤마켓(Markets and Markets)에 따르면 엑스밴드(X-band), 쿠밴드(Ku-band), 카밴드(Ka-band)까지 합산한 세계 시장의 규모는 지난 2019년 23억달러에서 오는 2024년 44억달러로 5년간 2배에 달하는 성장을 예상하고 있다.

RFHIC 관계자는 “정부가 추진하는 핵심 원천기술 과제를 국내 대기업 및 중소기업, ETRI(한국전자통신연구원)와 긴밀하게 협력하여 반드시 성공하겠으며, 수출 경쟁력까지 확보할 수 있도록 하겠다”라고 전했다.