삼성, 고집적 메모리 대거 공개..'AI 초격차' 이룬다

삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 주최한 ‘삼성 테크 데이 2018’에서 최주선 삼성전자 미주 지역총괄 부사장이 개회사를 하고있다. 사진=삼성전자

[이데일리 김겨레 기자] 삼성전자(005930)가 메모리 반도체 ‘초(超)격차’를 유지하기 위해 차세대 메모리 개발에 박차 가하고 있다. 인공지능(AI)용 반도체 수요가 늘어났을 때 즉시 공급할 수 있도록 업계에서 가장 뛰어난 고용량·저전력 메모리 제품군을 갖춰놓겠다는 계획이다.

삼성전자는 17일(현지시간) 미국 실리콘밸리 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 ‘삼성 테크데이’를 열고 서버용 256기가바이트(GB) 3DS RDIMM을 세계 최초로 공개했다. 이전 제품인 128GB RDIMM 대비 용량은 2배 커졌고, 소비 전력 효율은 30% 개선됐다.

아울러 6세대 V낸드플래시 기술과 기업용 7.68테라바이트(TB) 쿼드 레벨 셀(QLC·4비트) 서버 솔리드스테이트드라이브(SSD)도 선보였다.

256GB 3DS RDIMM은 중앙처리장치의 정보를 처리하는 메인 메모리에 초대용량의 데이터를 저장해 처리 속도를 향상시키는 기술인 ‘인메모리 데이터베이스’ 플랫폼 개발에 최적화된 D램 솔루션이다. 실리콘 3차원(3D) 적층 기술을 활용, 연결해 고속으로 동작할 수 있게 했다. 특히 신제품엔 삼성전자가 지난해 양산을 시작한 업계 최대 용량의 10나노급(1y) 16Gb DDR4 D램을 탑재했다.

장성진 삼성전자 메모리 D램 개발실 부사장은 “지난해 업계 최초로 개발한 2세대 10나노급 D램 기술로 초격차 제품 경쟁력을 강화한 데 이어, 업계 최초 256GB DIMM 양산과 LPDDR5·GDDR6·HBM2 등 차세대 프리미엄 라인업의 양산 체제를 업계에서 유일하게 구축했다”며 “향후 극자외선(EUV) 공정 기반의 차세대 D램을 선행 개발해 초고속 초고용량 D램의 시장 수요를 지속 확대해 사업 위상을 더욱 높일 것”이라고 말했다.

삼성전자는 또 성능을 대폭 높인 512Gb 4비트 V낸드와, 멀티 레벨 셀(MLC·2비트) 설계를 통해 용량을 2배 늘린 2세대 Z-NAND(SLC 128Gb·MLC 256Gb) 등 미래 낸드 기술의 개발 방향을 제시했다.

경계현 메모리 플래시 개발실 부사장은 “내년 양산 예정인 6세대 V낸드는 기존 ‘1-스택(Stack)’의 극한 연장과 신개념 설계를 통해 3비트 V낸드 역대 최고 성능을 구현할 것”이라고 기대했다.

아울러 기업용 7.68TB 4비트 서버 SSD도 공개했다. 지난 8월 업계 최초로 출시한 소비자용 4TB 4비트 PC SSD 모델에 이어, 기업용 SSD시장까지 4비트 V낸드 제품의 사업 범위를 확대한다는 방침이다.

삼성전자는 빅데이터에 특화된 키 밸류(KV) SSD, 인공지능(AI) 머신러닝용 스마트SSD(SmartSSD), 고속 네트워크용 SSD와 스토리지를 결합한 NVMeoF SSD 등 새로운 솔루션을 제공해 다양한 고객들과의 개방형 혁신을 확대할 예정이다.

한진만 삼성전자 DS부문 상품기획팀 전무는 “HBM2 D램 사용으로 클라우드 AI에서 최대 성능은 6배 향상됐고, 비용측면에서도 8배의 절감 효과가 있다”며, 향후 GDDR6 그래픽 D램, LPDDR5 모바일 D램이 차세대 시스템에 탑재되면서 5G, Edge 서버 computing 등 새로운 프리미엄 시장을 지속 창출할 것이라고 예측했다.

삼성전자는 차세대 IT 시장에 최적화된 메모리 기술을 선행 개발해 나가는 한편, 평택 라인에서 V낸드와 D램 양산 규모를 지속 확대해 고객 수요에도 적극 대응할 계획이다.

이날 행사에는 애플 공동 창업자 스티브 워즈니악과 마이크로소프트, 자이링스, 휴렛 팩커드 엔터프라이즈, 브이엠웨어를 비롯한 글로벌 IT업체와 미디어, 애널리스트, 파워 블로거 등 500여 명이 참석했다.