삼성전자 연구진, 플래시 메모리 '원리 규명'…"한계 극복"

[이데일리 조민정 기자] 삼성전자 연구진이 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않는 비휘발성 메모리인 ‘플래시 메모리’의 저장원리를 밝혀냈다.

논문에 참여한 혁신센터 CSE팀과 SAIT 연구진. (왼쪽부터) 양승열 SAIT 마스터, 오영택 님, 김대신 혁신센터 CSE팀 상무, 최운이 님, 손원준 파트장, 권의희 DE(Distinguished Engineer).(사진=삼성전자)

14일 삼성전자 뉴스룸에 따르면 삼성전자 혁신센터 CSE팀은 기존과 차별화된 접근 방식을 통해 플래시 메모리 정보 저장의 핵심 역할을 하는 비정질 실리콘 질화물에서 전자가 안정되게 저장되는 근본 원리를 밝혀내는 데 성공했다.

CSE팀이 집필한 플래시 메모리 저장원리에 대한 논문은 세계적인 학술지인 ‘어드밴스드 머터리얼스(Advanced Materials)’에 게재되면서 학계에서 우수성을 인정받았다. CSE팀은 슈퍼컴퓨터와 같은 고성능 컴퓨터를 활용해 반도체의 공정, 메모리를 비롯한 다양한 소자의 전기적 특성, 소재의 다양한 특성을 시뮬레이션 하는 부서다.

플래시 메모리는 디지털카메라, 스마트폰, 태블릿 등 전자기기의 전원이 끊겨도 데이터를 보존해주는 반도체다. 삼성전자가 업계 1위를 지키고 있는 낸드 플래시가 대표적인데 저장원리에 대한 구체적인 내용이 밝혀지지 않아 최근까지 논쟁과 연구가 지속되는 분야였다.

CSE팀은 이번 연구를 통해 그동한 간과했던 원자수준의 작동 원리를 밝혀냈다고 밝혔다. V낸드가 세대를 거듭하는 가운데 원자 수준에서 일어나는 현상의 근본적인 이해는 향후 메모리 개발 혁신을 위해 필요한 과정이라는 설명이다.

CSE팀은 “V낸드가 세대를 거듭할수록 크기가 점차 작아지며 원자 수준에서 발생하는 현상에 대한 근본적인 이해 없이 혁신을 이뤄 내기 힘든 단계에 직면했다”며 연구를 시작하게 된 계기를 설명했다. 이어 “이번 연구로 플래시 메모리 미세화의 한계를 극복할 수 있는 좋은 결과와 더불어 다른 주변 기술들과 점진적인 시너지 효과를 일으켜 인공지능과 같은 핵심기술의 진보를 앞당길 수 있을 것이라 생각한다”고 했다.