[edaily 안승찬기자] 퓨전 메모리도 기가시대를 열었다.
삼성전자(005930)는 세계 최초로 90나노 공정을 적용, 낸드 플래시와 S램 등을 하나의 칩에 집적한 1기가(Giga-bit) `원낸드(OneNAND™)` 퓨전 메모리를 개발했다고 10일 밝혔다.
삼성전자 관계자는 "이번 제품은 다양한 형태의 메모리와 로직을 하나의 칩에 집적하고, 시스템 사양에 적합한 소프트웨어까지 제공하는 퓨전 메모리"라며 "현재 휴대폰에 주로 사용되는 노어플래시를 대체할 것"이라고 말했다.
1기가 원낸드는 2개의 고속 S램을 버퍼 메모리로 활용, 노어 플래시에 비해 67배 빠른 초당 10MB의 쓰기속도를 구현하고, 읽기속도 역시 낸드에 비해 4배 빠른 초당 108MB라고 회사측은 설명했다.
또 별도의 로직 회로가 집적되어 있어 낸드 플래시내의 데이터 오류가 발생하더라도 기존 CPU가 담당했던 정정기능을 원낸드가 자체적으로 해결할 수 있다고 삼성전자는 강조했다.
원낸드 제품은 추가투자 없이 기존 낸드 플래시 설비로 양산이 가능하기 때문에 원가경쟁력도 우수하고, 휴대폰 부팅시간도 대폭 단축된다고 삼성전자는 전했다.
삼성전자 관계자는 "1기가 원낸드는 노어 플래시 대비 쓰기 기능 등에서 훨씬 우수한 성능을 보유하였을 뿐 아니라 심비안·리눅스 등 모든 OS 지원이 가능, 노어 플래시를 급속히 대체할 것"이라며 "향후 3세대 휴대폰을 중심으로 수요가 급증할 것"이라고 말했다.