삼성電, 20나노 64기가 3비트 낸드플래시 양산

30나노 낸드보다 생산성 60% 향상
고성능 대용량 낸드플래시 시장 공략
  • 등록 2010-10-13 오전 11:00:24

    수정 2010-10-13 오전 11:02:17

[이데일리 류의성 기자] 삼성전자(005930)는 이 달부터 세계 최초로 `20나노급 64Gb(기가비트) 3비트` 낸드플래시 양산에 들어갔다고 13일 밝혔다.

1 나노미터(㎚)는 10억분의 1m을 뜻한다. 3비트(bit) 낸드는 하나의 셀에 3비트 단위로 저장할 수 있는 속도를 말한다. 즉 미세 공정으로 데이터를 빠르고 많이 저장할 수 있는 낸드플래시라는 뜻이다. 

삼성전자는 작년 11월 세계 최초로 30나노급 32Gb 3bit 낸드플래시를 양산했다. 1년도 안돼 용량을 두 배로 늘린 20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시를 생산하기 시작한 것.

이 제품은 생산성이 60% 이상 높고, `고속(Toggle DDR)낸드플래시 1.0` 방식을 적용했다. 기존 32Gb 3bit 낸드플래시 시장을 빠르게 대체할 것이라는 것이 회사 측 설명이다.

삼성전자는 앞으로 낸드플래시 제품에 Toggle DDR을 확대 적용해 대용량·고성능 메모리를 원하는 고객의 요구에 부응하겠다고 밝혔다.
 
 

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

김세진 삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 상무는 "대용량 메모리 수요가 급증하고 있는 스마트폰, 태블릿PC, SSD(솔리드 스테이드 드라이브)에 이어, USB 플래시 드라이브, SD카드와 같은 대용량 메모리 제품 시장을 확대해 나갈 수 있는 솔루션이 강화됐다"고 말했다.

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