삼성전자, ‘파운드리 포럼 2019’ 개최..차세대 3나노 GAA 공정 등 소개

14일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2019’에서 정은승 삼성전자 파운드리 사업부 사장이 기조 연설을 하고 있다. (사진=삼성전자)

[이데일리 김종호 기자] 삼성전자(005930)가 전 세계 시장에 자사 파운드리 기술의 우수성을 알리기 위한 행사인 ‘삼성 파운드리 포럼(Samsung Foundry Forum) 2019’의 첫 행사를 미국에서 개최했다. 삼성전자는 올해 전 세계 5개국에서 파운드리 포럼을 진행해 차세대 3나노 GAA 공정 등 4차 산업혁명 시대를 주도할 반도체 기술 등을 적극 소개한다는 계획이다.

삼성전자는 14일(현지시간) 미국 산타클라라 메리어트 호텔에서 올해 첫 번째 파운드리 포럼을 개최했다고 밝혔다. 이번 포럼에는 글로벌 팹리스 고객과 파트너사 800여명이 참가해 인공지능(AI)과 5G, 자율 주행, 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 시대를 주도할 반도체 기술을 공유했다.

우선 삼성전자는 이번 포럼에서 ‘3GAE(3나노 Gate-All-Around Early)’의 공정 설계 키트(PDK)를 팹리스 고객들에게 처음으로 소개했다.

3GAE는 전류가 흐르는 통로인 원통형 채널(Channel) 전체를 게이트(Gate)가 둘러싸고 있어 3면을 감싸는 지느러미 모양의 핀펫(FinFET) 구조에 비해 전류의 흐름을 더 세밀하게 제어할 수 있는 구조의 트랜지스터다. 향후 3나노 이하 초미세 회로에 도입돼 모바일과 AI,5G, 전장, IoT 등 고성능과 저전력을 요구하는 차세대 반도체에 적극 활용될 전망이다.

특히 이번에 삼성전자가 소개한 3GAE 공정 설계 키트는 파운드리 회사의 제조공정에 최적화한 설계를 지원할 수 있어 이를 활용해 팹리스 업체가 보다 쉬운 제품 설계로 제품의 시장 출시를 앞당겨 경쟁력을 높일 수 있을 것으로 기대된다.

삼성전자 관계자는 “3GAE 공정은 최신 양산 공정인 7나노 핀펫 대비 칩 면적을 45% 가량 줄일 수 있으며, 약 50%의 소비전력 감소와 약 35%의 성능 향상 효과를 올릴 수 있다”고 말했다.

삼성전자는 3나노 공정에서 독자적인 ‘MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET)’ 기술을 통해서도 차별화한 이점을 팹리스 고객사들에게 제공한다는 계획이다.

또 삼성전자는 이날 포럼에서 팹리스 고객에게 설계 편의를 제공하기 위해 ‘SAFETM-Cloud’ 서비스 시작을 알렸다.

삼성전자의 SAFETM-Cloud 서비스는 아마존 웹 서비스(AWS)와 마이크로소프트(Microsoft), 자동화 설계툴(EDA) 회사인 케이던스(Cadence), 시놉시스(Synopsys)와 함께 진행하며 속도와 보안성이 검증된 클라우드 환경을 제공한다.

팹리스 고객은 SAFETM-Cloud 서비스를 통해 삼성전자와 파트너사가 제공하는 공정 설계 키트, 설계 방법론(DM), 자동화 설계 툴(EDA), 설계 자산 등을 이용해 투자 비용을 줄이고 보다 빠르게 반도체를 제작할 수 있다.

정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장은 “반도체 공정과 생산, 패키지 분야의 앞선 기술뿐만 아니라 파운드리 업체와 고객, 파트너가 서로 신뢰하고 비전을 공유하는 것도 매우 중요하다”라며 “이번 포럼을 통해 삼성전자의 기술적 성과와 목표를 공유할 수 있어서 무척 기쁘다”라고 말했다.

삼성전자는 미국에 이어 6월 중국과 7월 한국, 9월 일본, 10월 독일 등 5개국에서 올해 파운드리 포럼을 개최하고 파트너와 유기적인 협력을 진행할 예정이다.