하이닉스, 뉴모닉스와 차세대 낸드플래시 공동개발(상보)

[이데일리 김상욱기자] 하이닉스반도체(000660)는 6일 뉴모닉스와 차세대 낸드플래시 기술 및 제품에 대한 포괄적인 공동 개발 계약을 체결했다고 밝혔다.

이번 계약을 통해 양사는 향후 5년간 플래시 메모리 제품군 확대를 비롯해 신규 제품 설계 및 차세대 기술 공동개발을 통해 낸드플래시 사업 경쟁력을 강화할 예정이다.

하이닉스는 지난 2003년4월 뉴모닉스(당시 ST마이크로)와 플래시 메모리에 대한 전략적 제휴 계약을 체결한 바 있다.

이번 확대 계약을 통해 낸드플래시에 대한 포괄적인 공동개발을 비롯해 휴대폰 시장을 겨냥한 MCP 제품에 사용되는 모바일 D램에 대한 협력도 추진할 계획이다.

하이닉스는 이번 협력을 통해 뉴모닉스의 비휘발성 메모리 기술을 바탕으로 낸드플래시 공정 세대 전환시의 기술적 한계를 극복할 수 있게 됐다.
 
또 인텔로부터 뉴모닉스로 흡수된 우수인력을 활용해 소프트웨어 및 마이크로 컨트롤러 솔루션 노하우를 공유할 수 있게 됐다.

기존 낸드플래시 칩을 단순 실리콘에서 MicroSD, eMMC 및 SSD 와 같은 복합 시스템으로 향상시켜 복합 솔루션 시장으로의 진입 및 점유율 확대가 가능해졌다는 설명이다.

특히 기존 낸드플래시의 플로팅 게이트(Floating Gate) 구조를 대체할 것으로 예상되는 CTD(Charge Trap Device) 개발과 관련 뉴모닉스가 보유한 노어플래시 기술을 활용할 수 있게 돼 기술 경쟁력 확보에 도움이 될 것으로 기대하고 있다.

김종갑 하이닉스 사장은 "이번 협력을 통해 향후 중요한 분야가 될 것으로 전망되는 소프트웨어 및 컨트롤러 등 솔루션 제품의 경쟁력을 높여 성공적으로 관련 시장에 진입할 수 있을 것으로 기대한다"며 "낸드플래시 신기술을 지속적으로 확보하고 다양한 제품을 출시하여 향후 낸드플래시 시장을 선도할 것"이라고 강조했다.

브라이언 해리슨 뉴모닉스 사장은 "이번 협력을 통해 향후 5년간 낸드플래시 시장을 선도할 수 있는 능력을 확보했다"며 "효율적 생산능력 및 시장을 선도하고 있는 메모리 제품의 노하우를 갖출 수 있게 돼 경쟁사보다 한 발 앞서 제품을 출시할 수 있을 것"이라고 기대했다.

한편 이번 협력과는 별도로 하이닉스는 모바일 D램을 최대 수요처 중 하나인 뉴모닉스에 대량 공급하게 돼 연내 모바일 D램 시장 점유율을 상당한 수준으로 확대할 수 있게 됐다.

하이닉스는 지난 4월 66나노 기술을 적용한 세계 최고속 1기가비트 모바일 LPDDR2(Low Power DDR2) 제품을 개발했다. 최근에는 저전력 모바일 D램을 비휘발성 메모리와 결합한 저전력 멀티칩 패키지(MCP) 제품을 생산하는 등 모바일 D램 제품군을 보유하고 있다.


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