석경에이티, ‘저유전손실 기능’ 5G 기판소재용 필러 2종 독자 개발 성공

[이데일리 유준하 기자] 중공실리카(hollow silica) 제품으로 5G 기판소재 시장을 공략하고 있는 석경에이티(357550)가 ‘저유전손실 기능’을 갖는 5G 기판소재용 필러 2종을 독자적으로 신규 개발에 성공했다고 8일 밝혔다. 회사는 관련 제품에 대한 국내 특허출원도 완료했다.

석경에이티가 독자 개발에 성공한 Mg2SiO4 두 가지 형태의 입자 사진. 사진 왼쪽은 자체 기술인 용융염법을 통해 생성 또는 성장시킨 큰 입자(왼쪽)와 일반적인 합성법으로 생성된 작은 입자(오른쪽). (사진=석경에이티)

이번에 새롭게 개발한 마그네슘실리케이트(Mg2SiO4) 계열의 화합물은 5G 기판소재로 사용되는 ‘LCP 소재’, ‘PI 소재’와 하이브리드화함으로써 5G의 고속통신에 중요한 유전손실 값을 극도로 낮출 수 있다는 장점을 가졌다는 게 회사 측 설명이다.

회사 관계자는 “지금까지의 Mg2SiO4 계열의 화합물은 일반적인 합성법 결과 작은 입자만 생성되는 경우가 대부분이었다”며 “생성된 작은 입자를 고분자와 복합화하는 경우, 원하는 유전손실 값을 얻을 수 없다는 것이 큰 단점이었다”고 설명했다.

석경에이티 연구소는 이러한 문제를 해결하기 위해 자체적으로 개발한 ‘용융염법(molten salt synthesis)’을 활용해 기능성 입자를 성장시키는 새로운 기술을 개발했다.

임형섭 석경에이티 대표는 “저유전율, 저유전손실의 특징을 갖는 2종의 신제품을 개발 완료함으로써 향후 5G 및 6G 기판소재 시장에서 우위를 점할 수 있는 계기를 마련할 수 있게 됐다”며 “개발 제품을 조기 출시해 고객 평가를 받음으로써 차세대 고속통신망의 발전과 더불어 동반성장할 수 있는 초석을 다져 나아가겠다”고 포부를 밝혔다.