삼성전자, 세계최초 70나노 D램 개발

[이데일리 안승찬기자] 삼성전자(005930)는 세계에서 처음으로 첨단 70나노 공정을 적용한 512메가 DDR2 D램 개발에 성공했다고 13일 밝혔다.

삼성전자는 지난 2001년 처음으로 100나노 공정 개발한 이후 매년 90나노, 80나노 공정을 처음으로 개발했다. 이번 70나노 D램 공정개발로 삼성전자는 나노급 D램 기술분야 그랜드슬램을 달성하게 된 셈이다.

나노 기술은 통상 100나노 이하에서 물질을 조작하는 기술로, 70나노 공정기술은 반도체 회로 선폭이 머리카락 두께의 약 1400분의 1에 해당한다.

삼성전자는 업계보다 1년 이상 앞선 지난해 중순부터 90나노 공정을 적용한 D램 제품의 양산을 시작했고, 이번 70나노 D램 기술 개발을 통해 2세대 앞선 양산 기술력을 조기에 확보하게 됐다.

또 기존 90나노와 80나노 공정기술과 기술 연속성을 유지, 70나노 제품 양산시 추가 투자를 대폭 줄일 수 있다고 삼성전자는 전했다.

삼성전자는 현재 양산 중인 90나노급 D램에 이어 80나노 D램을 올 하반기, 이번 70나노 512메가 D램은 내년 하반기부터 각각 양산에 돌입할 예정이며, 향후 1기가, 2기가 D램까지 70나노 적용을 확대해 대용량 D램 시장을 주도해 나갈 계획이다.

70나노 512메가 DDR2 D램은 기존에 양산하고 있는 90나노 512메가 DDR2 제품에 비해 생산성이 2배 향상되고, 1.8볼트 저전압 동작으로 PC를 비롯한 컴퓨팅 시스템 뿐 아니라 각종 모바일 기기에 최적의 성능을 구현할 수 있다.

또 이번 제품은 `MIM(Metal-Insulator-Metal) 캐패시터 기술`과 3차원 트랜지스터 제작 기술인 `S-RCAT(Sphere shaped Recess Channel Array Transistor)`를 적용해 D램의 미세화 수준과 데이터 저장 특성을 혁신적으로 개선한 점도 특징이라고 삼성전자는 강조했다.

삼성전자 관계자는 "이번 70나노 D램 개발에 이어 차세대 D램 개발을 가속화함으로써 D램 부문에서도 업계와의 기술 격차를 더욱 벌려 나갈 계획"이라고 말했다.

한편 시장조사기관에 따르면 D램시장은 향후 새로운 차세대 게임기 출시, 3세대 휴대폰 비중 확대, 그리고 새로운 PC 운영체제 출시 등에 따라 올해 265억달러에서 2009년 374억달러로 안정적인 성장세를 유지할 전망이다.