삼성, 차세대 메모리 한단계 `업그레이드`

[이데일리 조태현 기자] 삼성전자(005930)가 차세대 메모리 R램의 내구성과 속도를 대폭 개선할 수 있는 기술 개발에 성공했다.

삼성전자는 R램의 저항변화 물질로 산화탄탈륨(Ta2O5)을 사용해 전류 필라멘트를 한 층에만 분포하도록 하는 기술을 개발했다고 12일 밝혔다.

R램은 산화물 등 재료의 저항 변화를 이용해 정보를 저장하는 메모리 반도체다.

이번 기술을 R램에 적용하면 반도체의 쓰기·지우기 동작을 1조번 반복할 수 있다고 삼성전자는 설명했다. 전류량도 기존 제품에 비해 줄어든다.

또 트랜지스터와 레지스터를 각각 1개씩 구성하는 1T1R(1 Transistor 1 Resistor)의 기존 R램 구조를 별도의 트랜지스터가 필요없는 구조로 바꿔 메모리 용량을 늘릴 가능성도 제시했다고 회사 측은 강조했다.

삼성전자의 이번 연구 결과는 영국에서 발간하는 학술지 `네이처 머티어리얼즈` 인터넷판(10일자)에 게재됐다.

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