하이닉스, 30나노급 4Gb DDR3 D램 개발

[이데일리 서영지 기자] 하이닉스반도체(000660)는 29일 30나노급 기술을 적용해 고용량의 4Gb(기가비트) DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다.

또 30나노급 2Gb DDR3 D램에 대한 개발도 완료해 내년 1분기 양산에 들어간다.

30나노급 D램은 기존 40나노급 D램에 비해 생산성이 70%가량 향상돼 원가경쟁력을 강화할 수 있다.

또 최대 2133Mbps(메가비트퍼세컨드, 1초당 100만 비트 전송)의 데이터 처리속도를 구현해 기존 1333Mbps 제품대비 처리속도가 60% 가량 빨라졌다.

2133Mbps의 데이터 전송속도는 16개의 정보 입출구(I/O)를 통해 영화 3~4편에 해당되는 4.2GB의 데이터를 1초내에 처리할 수 있는 속도다.
 


30나노급 2Gb 서버용 제품은 1.25V의 초저전압과 친환경 기술을 적용했다. 따라서 기존 40나노급 2Gb 제품보다 60% 이상 전력소모를 줄일 수 있다.

박성욱 하이닉스 연구개발제조총괄본부장(CTO) 부사장은 "하이닉스는 현재 전체 D램 생산량의 50% 가량을 2Gb 제품으로 생산하고 있다"며 "향후 4Gb 제품 등 프리미엄 시장을 주도적으로 이끌어 나갈 것"이라고 말했다.