삼성전자, 50나노급 2Gb DDR3 D램 인텔 인증

[이데일리 김상욱기자] 삼성전자(005930)는 18일 50나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품이 업계에서 처음으로 인텔 인증을 획득했다고 밝혔다.

이번에 인증된 제품은 2기가비트(Gb) DDR3 D램 단품(x8) 및 PC용 4기가바이트(GB) UDIMM(Unbuffered DIMM) 모듈 제품이다.

또 서버용 8기가바이트(GB)/16기가바이트(GB) RDIMM 등 모듈 9종도 현재 평가가 진행중이다. 내년초에는 50나노 2기가비트(Gb) DDR3 모든 제품의 인증이 완료될 예정이다.

50나노급 2기가비트 DDR3는 지난 2007년 삼성전자가 개발한 60나노 2기가비트 DDR2 D램 대비 약 1.6배 빠른 1.333Gbps(1333Mbps)의 속도를 구현한다. 칩의 크기도 작아져 생산효율이 기존대비 60% 이상 향상됐다.

또 1기가비트 DDR3 단품을 탑재한 모듈에 비해 D램 단품의 개수를 반으로 구성할 수 있어 40%이상 전력을 절감할 수 있다.

특히 기존 2기가비트 DDR2 D램 단품의 경우 칩 사이즈가 커서 패키지 적층(DDP: Double Die Package) 기술을 적용해야만 고용량 모듈 제작이 가능했다.

반면 2기가비트 DDR3 D램은 DDR2 D램 대비 크기가 적어 별도의 적층기술없이 8GB RDIMM, 4GB SODIMM/UDIMM 제품 양산이 가능하다. 고용량 메모리의 시장 확대를 위한 원가 경쟁력이 강화됐다는 설명이다.

삼성전자는 이번 공식 인증으로 노트북 및 서버 시장에서 2기가 DDR3 D램 제품의 안정적 채용 기반을 확보했다고 평가했다. 또 앞으로도 고용량·고성능 제품을 선행 출시, D램 시장을 확대하고 시장을 선점해 나간다는 전략이다.

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