삼성 2파운드리 공장 착공절차 돌입…美 테일러 조례 통과

(사진=로이터통신)

[이데일리 최영지 기자] 미국 텍사스 테일러시(市) 의회가 최근 삼성전자의 미국 제2 파운드리(반도체 위탁생산) 공장 부지 개발을 위한 행정 절차에 나섰다. 올해 상반기 테일러 내 반도체 신규공장 착공을 위한 준비가 계획대로 진행되고 있는 것으로 보인다.

17일 업계와 외신 등에 따르면 테일러 시의회는 지난 13일(현지시간) 삼성전자(005930) 반도체 신규 공장의 부지를 병합하고, 시 경계에 이를 포함되도록 하는 조례를 승인했다. 이 조례에는 윌리엄슨 카운티 일부 도로에 위치한 약 1268.23에이커(약 155만평) 규모 토지 필지 병합과 토지 병합시 용도 변경 관련 내용이 담겼다.

업계 관계자는 “해당 구역은 테일러 시 구역에 포함돼 있지 않았던 토지로 이번 조례 통과로 병합되는 것”이라며 “보통 산업단지를 조성할 때 토지 병합과 토지 용도 변경 등의 행정절차가 이뤄진다”고 설명했다. 업계에 따르면 삼성전자와 테일러 시는 신규 공장 건설 계약 당시 이 내용을 협의했었던 것으로 전해진다.

향후 시설 허가 신청에 이어 삼성전자의 올해 상반기 내 공장 착공, 2024년 하반기 가동 목표도 순조로울 전망이다.

삼성전자는 이번 파운드리 2공장 건설에 170억달러(약 20조원)을 투입했다. 이는 삼성전자의 미국 투자 중 역대 최대 규모다. 미국에선 이 공장에서만 785개의 간접 일자리와 1800개의 직접 고용 등 2585개의 새로운 일자리가 창출될 것으로 분석하고 있다.

신규 공장은 삼성전자의 평택 3라인과 함께 삼성전자의 ‘시스템반도체 비전 2030’ 달성을 위한 핵심 생산기지 역할을 할 전망이다. 삼성전자는 이를 통해 파운드리 세계 1위인 대만 TSMC를 제치고 오는 2030년에 시스템반도체 세계 1위를 달성하겠다는 계획을 갖고 있다. 업계에 따르면 삼성전자의 파운드리 시장 점유율은 17.1%로, 1위 TSMC(53.1%)에 크게 뒤처져 있다.

삼성전자는 TSMC보다 앞선 초미세 공정 기술력을 선보이면서 투자 규모의 격차를 극복하겠다는 방침이다. 삼성전자는 올 상반기 3나노(㎚, 1㎚=10억분의 1m) 반도체를 세계 최초로 양산하고, 2025년에는 2나노 반도체 생산에 나설 계획이다. 올 하반기 3나노 반도체를 양산하는 TSMC보다 한발 앞선 일정이다. 반면 TSMC도 올해 역대 최대 규모인 440억달러(약 52조원)의 설비투자를 단행하며 치열한 경쟁을 예고한 상태다.