하이닉스, 세계 최고속 모바일 D램 개발

[이데일리 김상욱기자] 하이닉스반도체(000660)는 6일 66나노 기술을 적용한 세계 최고속 1기가비트 모바일 LPDDR2(Low Power DDR2) 제품을 개발했다고 밝혔다.

하이닉스는 지난해 세계 최고속·최소형 1기가비트 모바일 DDR 제품이후 8개월만에 후속제품 개발에 성공했다.

이 제품은 JEDEC(국제반도체표준협의 기구) 규격을 만족하며, 칩셋 업체와 공동으로 모바일 LPDDR2의 국제 표준화를 선도할 것으로 기대되고 있다.

특히 세계 최초로 1.2V의 전압에서 업계 최고속인 800Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있다. 급속하게 진화하고 있는 모바일 기기에 최적화된 제품이란 설명이다.

또 66나노 초미세 공정이 적용되어 9mm x 12mm 크기로 경쟁력 있는 패키지가 가능하다.

하나의 칩에서 다양한 데이터 처리속도 및 방식지원이 가능한 `원 칩 솔루션` 기능을 갖추고 있어 이를 탑재하는 기기의 사양에 맞추어 변경해 사용할 수 있다.

이번 제품은 1기가비트 이상 고용량 모바일 메모리 시장을 선도할 수 있는 획기적인 신제품으로, 올해 4분기부터 양산할 예정이다.

하이닉스는 올해 수익성 1위 탈환을 위해 모바일 D램을 비롯한 고부가가치 제품의 비중을 대폭 늘릴 계획이다.

특히 모바일 D램의 경우 신제품 적기개발 및 판매 강화로 현재 7% 정도인 시장 점유율을 3배 가까이 확대한다는 목표다.

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