"AI가 만드는 거센 변화, HBM은 고객맞춤화로 갈 것"

[이데일리 김정남 기자] “앞으로 고대역폭메모리(HBM) 시장은 고객이 원하는 가치를 담은 제품으로 전문화(Specialized), 고객맞춤화(Customized)할 것입니다.”

SK하이닉스(000660)의 HBM 기술담당 신임 임원인 권언오 부사장은 28일 공개된 뉴스룸 인터뷰를 통해 “차세대 HBM은 고객별로 차별화한 스페셜티 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화해야 한다”며 이렇게 말했다.

HBM은 여러 개의 D램 칩을 TSV(Through Silicon Via·수직관통전극)로 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올린 고부가·고성능 메모리 제품이다. 현재 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)를 거쳐 5세대(HBM3E)까지 개발돼 있다. SK하이닉스는 최근 세계 최초로 HBM3E 대량 양산을 시작했다.

SK하이닉스의 고대역폭메모리(HBM) 기술담당 신임 임원인 권언오 부사장이 28일 자사 뉴스룸과 인터뷰를 하고 있다. (사진=SK하이닉스)

권 부사장은 “HBM은 어렵고 복잡한 선행 기술의 제품으로 가장 기술집약적인 D램이라고 할 수 있다”며 “시스템 반도체에서 메모리 반도체로의 도전을 감행한 계기도 HBM 때문이었다”고 말했다.

그는 “오랫동안 이어진 미세화 기반 성능 개선을 넘어서 시스템 반도체와 메모리 반도체의 구조와 소자, 공정이 융합하며 기술이 발전하는 시대가 올 것이라고 예상했다”면서 “메모리가 주도하는 혁신의 기회가 있을 것이라고 생각했고, 그 혁신의 시작이 HBM이라고 확신했다”고 했다.

권 부사장은 “인공지능(AI) 시대에 들어서며 그동안 겪어보지 못한 수준의 빠른 변화가 이어지고 있다”면서 “변화를 예측하고 유연하게 대응하는 것이 무엇보다 중요한 때”라고 했다. “그동안 수많은 기술 변곡점이 있었지만 AI가 만드는 변화는 그 어느 때보다 크고 거세다”는 게 그의 설명이다.

그는 “향후 AI용 메모리는 현재와 같은 데이터센터향 외에 특정 목적에 맞춰 성능과 효율성을 높인 ASIC(Application Specific Integrated Circuit·특정 목적을 위해 설계한 집적회로) 형태나 고객의 제품에 최적화한 온디바이스(On Device) 형태로 확대될 것”이라며 “HBM뿐만 아니라 다양한 종류의 D램이 AI용 메모리로 사용될 것”이라고 했다.