또한 올해 4조원대 후반으로 예상되는 시설투자 비용은 내년 5조원을 훌쩍 뛰어넘을 전망이다.
SK하이닉스는 3분기 영업이익이 1조3010억원을 기록, 분기 기준 사상 최대 실적을 달성했다고 23일 밝혔다. 전년 동기보다 11.7% 증가했으며, 전분기 대비로는 20% 늘어났다.
매출은 4조3120억원으로 전년 같은기간에 비해 5.6% 증가했으며, 전분기보다는 9.9% 늘었다.
이로써 하이닉스는 올해 1분기부터 3분기까지 3연속 영업이익 1조원 이상을 기록하며 실적 고공행진을 이어갔다.
D램은 20나노 중반급 공정기술 비중 확대와 시장 수요 확대에 힘입어 출하량이 7% 증가했다. 낸드플래시의 경우 10나노급 공정기술 비중 확대와 솔루션 제품 위주의 공급 확대로 출하량이 26% 증가했다.
기술력 향상에 따른 생산능력 증가 및 단가 인하에 시장 수요까지 견조한 흐름을 보이면서 수익성이 크게 높아졌다는 의미다. 지난해부터 20%대 중후반을 유지했던 영업이익률은 3분기 들어 30%까지 높아졌다.
김준호 SK하이닉스 코퍼레이트센터장(사장)은 ‘3분기 실적발표 컨퍼런스콜’에서 “4분기에 D램은 10%대 중반, 낸드플래시는 20%대 중반의 비트그로스(Bit Growth·메모리 반도체의 성장률을 나타내는 지표)를 기록할 것”이라고 예상했다.
SK하이닉스는 미세공정 수준을 높이고 신제품 출시에 적극 나서는 방식으로 내년에도 올해의 흐름을 이어 나갈 방침이다.
D램은 서버와 모바일을 중심으로 성장이 지속될 것으로 예상된다. 이에 따라 SK하이닉스는 20나노 중반급 공정기술을 서버와 모바일로 확대 적용하고, 20나노 초반급 공정기술 개발을 연내 완료해 내년에는 양산 단계 진입을 준비하기로 했다. 또 내년 하반기부터 DDR4 채용을 본격화할 계획이다.
SK하이닉스는 16나노 TLC(트리플 레벨 셀) 제품을 기반으로 시장 진입의 발판을 마련하고, 기업용 SSD 등 제품 포트폴리오 다양화로 수익성을 강화할 예정이다.
SK하이닉스 관계자는 “16나노 TLC 단품 개발이 완료됐으며 솔루션 제품 개발이 진행되고 있다”며 “내년 상반기 중 의미있는 공급량 확대가 이뤄질 것”이라고 강조했다.
SK하이닉스는 연이은 호실적으로 풍부해진 유동성을 활용해 적극적인 투자 확대에 나서고 있다.
3분기 말 현재 현금성 자산 규모는 3조7000억원으로 전분기 대비 6200억원 증가했다. 반면 차입금 및 순차입금 비율은 각각 25%와 3%로 전분기보다 3%포인트와 4%포인트 낮아졌다.
김 사장은 “3분기까지 3조9000억원의 시설투자가 이뤄졌으며 이천 M14 라인에 대한 투자도 더 늘어나 연간 전체로는 4조원대 후반에 달할 것”이라며 “내년에도 M14 라인에 추가 투자를 할 예정인 만큼 올해 시설투자 비용을 넘어설 것”이라고 말했다.
SK하이닉스는 이날 공시를 통해 이천공장 증설에 3000억원을 추가 투자해 총 투자액이 기존 1조8000억원에서 2조1000억원으로 늘어났다고 밝혔다.
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