하이닉스 "상반기 생산 문제, 전부 해결"

[이데일리 조태현 기자] 권오철 하이닉스반도체(000660) 사장(사진)이 30나노급 D램 공정 적용에서 발생했던 문제가 이미 해결됐다고 밝혔다.

이에 따라 올해 세웠던 양산 계획 등이 차질없이 진행될 것이라고 설명했다. 목표 달성을 위해 하반기에는 공정 전환 등을 가속하겠다는 방침이다.

권 사장은 21일 오후 서울 여의도에서 열린 기업설명회에서 "상반기 D램에 30나노급 공정을 적용하면서 품질 문제 등으로 순조로운 램프업(점진적 생산량 확대)을 하지 못했다"며 "(기존 기술인 8F2 대신) 6F2 등 신기술을 도입한 것도 영향을 줬다"고 설명했다.

▲사진= 한대욱 기자

권 사장은 "이에 따라 원가절감 효과가 2분기에는 상당히 저조했다"면서도 "현재 문제가 모두 해결된 만큼 연간 원가 절감 목표 달성에 문제가 없을 것"이라고 강조했다.

엘피다 등의 거센 추격으로 기술 리더십이 흔들리는 것이 아니냐는 질문에는 전혀 문제가 없다는 뜻을 밝혔다. 권 사장은 "엘피다가 20나노급 기술을 개발했다고 하지만 조금 더 두고봐야 명확히 알 수 있을 것"이라고 설명했다.

엘피다가 의미 있는 수준에서 실제로 20나노급 제품을 개발했을 가능성은 작다는 뜻으로 풀이된다. 권 사장은 "20나노 초반 급의 D램을 오는 2012년 하반기에 선보일 계획"이라며 "현재 구조에서 기술적 한계라고 볼 수 있는 15나노 전후 낸드플래시도 2012년 하반기에는 개발할 것"이라고 강조했다.

반도체 크기를 줄이는 6F2 기술에 대해서는 "현재 차세대 기술인 4F2도 연구하고 있다"며 "하지만 확정적으로 개발 완료 시점 등을 말하기는 어렵다"고 말했다.

낸드플래시 생산공장을 증설하겠다는 뜻도 밝혔다. 권 사장은 "선두업체와 낸드플래시에 대한 기술력 격차를 최근 많이 줄여 자신감이 생겼다"며 "12인치 공정의 캐퍼가 월 10만장 정도에 불과한 만큼 향후 점진적인 증설에 나설 계획"이라고 설명했다.

다만 권 사장은 "급하게 투자를 진행하면 재무 안정성에 악영향을 준다"며 "아직 구체적인 계획을 밝히기는 어렵다"고 말했다.

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