삼성전자, SAP와 공동 리서치센터 운영.."차세대 메모리 개발 박차"

[이데일리 김혜미 기자] 삼성전자(005930)가 기업용 소프트웨어 선도기업인 SAP와 차세대 메모리 개발을 위한 공동 리서치 센터를 운영한다.

삼성전자는 29일 경기도 화성시 삼성전자 부품연구동(DSR)에서 전영현 삼성전자 메모리사업부 사장과 어데어 폭스 마틴 SAP 아시아 태평양 지역 회장 등이 참석한 가운데 공동 리서치 센터 개소식을 가졌다고 밝혔다. DSR에 설립된 공동 리서치센터는 소형 데이터센터를 운영하는 전용 서버룸과 양사 연구개발 임직원이 근무하는 사무실로 구성됐다.

앞으로 삼성전자와 SAP는 공동 리서치 센터에서 차세대 인메모리 플랫폼 연구 개발에 나설 예정이다. 인메모리 데이터베이스(in-memory database)는 중앙처리장치(CPU)의 정보를 처리하는 주기억장치(메인 메모리)에 초대용량 데이터를 저장해 처리 속도를 크게 향상시키는 기술로 양사는 지난 2015년 인메모리 플랫폼 ‘SAP HANA’의 공동 기술개발에 합의한 바 있다.

지난 6월에는 차세대 초고속·고용량 D램 모듈과 인메모리 기술 개발을 위한 ‘차세대 인메모리 플랫폼 개발 업무협약(MOU)’을 체결했다.

양사는 글로벌 고객들이 SAP HANA를 도입하기 앞서 리서치 센터에서 시험운용 등 제반 지원을 통해 최적의 솔루션을 제공한다는 계획이다. 인메모리 시스템용 초고용량 메모리 개발과 도입을 위한 제반 평가도 진행한다. 특히 20나노 D램 기반 128GB 3DS(3차원 수직 적층) 모듈을 탑재해 단일 서버로 최대 24TB(테라바이트)급의 인메모리 플랫폼 ‘SAP HANA’를 구현하고, 향후 10나노급 D램 기반 256GB 3DS 모듈을 탑재해 차세대 시스템 성능을 향상시킨다는 목표를 세웠다.

아울러 시스템 운영 소비전력을 최소화해 고객들의 IT 투자 효율을 높인 솔루션도 개발할 예정이다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 “10나노급 D램 양산으로 SAP의 차세대 인메모리 시스템에 최적의 솔루션을 적기 제공할 수 있게 됐다”며 “향후 기술 리더십을 더욱 강화해 ‘초고용량 메모리 시대’를 지속 주도해 나갈 것”이라고 말했다.

29일 경기도 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 진행된 ‘삼성-SAP 리서치센터’ 개소식에서 삼성전자 메모리사업부 전영현 사장(왼쪽)과 SAP 아시아 태평양 지역 어데어 폭스 마틴(Adaire Fox-Martin) 회장이 현판을 들고 기념 촬영을 하고 있다. 삼성전자 제공