[KES 2015]SK하이닉스 "20나노 D램 양산중..내년 48단 3D낸드 생산"

"20나노 D램 공정 안정화..고객에 샘플 보내"
"3D 낸드플래시는 올해 36단, 내년 48단 양산"
가격 하락 등 시황 우려.."기존 제품 장점 살릴 것"
  • 등록 2015-10-14 오후 2:02:34

    수정 2015-10-14 오후 2:02:34

[이데일리 성문재 기자] SK하이닉스(000660)가 지난 3분기부터 20나노 D램 반도체 양산을 시작했다. 삼성전자가 지난해 3월 세계 최초로 20나노 D램을 양산에 성공한 지 약 1년 반만이다.

SK하이닉스는 3D 낸드플래시 제품의 경우 올해 36단을 거쳐 내년에 48단 제품을 본격적으로 대량 생산해낸다는 계획을 세우고 개발 작업에 박차를 가하고 있다.

박성욱 SK하이닉스 사장은 14일 경기도 일산 킨텍스(KINTEX)에서 개막한 ‘한국전자산업대전(KES) 2015’에서 “20나노 D램으로 새로운 공정을 도입했다”며 “어려움이 있었지만 안정화해 고객에 샘플을 보냈고 양산하고 있다”고 말했다.

박 사장은 3D 낸드플래시 개발 관련 질문에 “열심히 하고 있다”며 “단계적으로 36단은 올해도 조금씩 하고 48단은 내년에 본격적으로 대량 양산할 것”이라고 설명했다.

48단 3D 낸드는 삼성전자가 지난 8월 양산에 돌입한 기술로 SK하이닉스가 뒤따르고 있는 상황이다. SK하이닉스는 새로운 기술에 대한 검증을 거쳐 최종적으로 48단 제품 개발을 목표로 삼고 있다.

박성욱 사장은 메모리반도체 시장 전망이 밝지 않다고 판단했다. 그는 “올해가 (차라리) 괜찮은 편이었다”며 “공급이 여전히 증가하고 시장 자체가 둔화하고 있어 내년에는 시황이 더 어려울 것”이라고 내다봤다. 이어 “D램 가격의 하락세는 계속 유지될 것”이라며 “이같은 상황에 대비하고 있다”고 덧붙였다.

박 사장은 차세대 D램 개발에 대해 “기존 D램과 낸드의 단점을 극복할 차세대 메모리 개발을 오래 전부터 꾸준히 해왔다”면서도 “차세대 메모리보다 기존 D램과 낸드의 장점을 더 살리는 방법에 집중하겠다”고 강조했다. D램을 기반으로 한 HBM 등의 제품을 대표적인 예로 꼽았다.

이는 그만큼 차세대 메모리 개발 작업이 녹록지 않다는 뜻으로 풀이된다. 시황 악화 속에서 더 빨리 성과를 내야한다는 절박함도 묻어 있다.

한편 SK하이닉스가 본격적인 진출 계획을 밝힌 바 있는 시스템반도체 분야에 대해서는 신중한 입장을 내비쳤다. 박 사장은 “하루 아침에 될 문제가 아니다”라며 “기존 M8 공장에서 파운드리 등의 역량을 키운 이후 그 다음 단계로 생각하고 있다”고 전했다.

박성욱(가운데) SK하이닉스 사장이 14일 KES 2015에서 SK하이닉스 전시 부스를 방문한 권오현(앞줄 오른쪽 첫번째) 삼성전자 부회장과 함께 제품을 살펴보고 있다.
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