삼성·하이닉스 `반도체=한국` 공식 만든다

[이데일리 조태현 기자] 삼성전자(005930)와 하이닉스반도체 등 국내 반도체 업계가 시장 `판쓸이`에 나섰다.

이미 글로벌 반도체 시장, 특히 메모리 반도체 시장은 국내 업체가 사실상 `독식`하고 있는 상황이다.

여기에 올해 사상 최대의 추가 투자를 통해 시장 지배력을 강화하겠다는 전략이다.

삼성전자는 17일 삼성나노시티 화성캠퍼스에서 열린 `화성사업장 메모리 16라인 기공식` 이후 공시를 통해 올해 총 26조원을 투자할 예정이라고 밝혔다.

이 중 반도체 시설투자에 투입되는 금액은 총 11조원. 애초 삼성전자는 올해 반도체 시설투자에 5조5000억원을 투자할 계획이라고 밝힌 바 있다.

삼성전자는 차세대 메모리 제품 생산을 위한 신규라인(16라인) 건설과 30나노 D램 양산 용도인 15라인 캐퍼 증설을 위해 메모리 반도체 투자를 애초 계획했던 5조5000억원에서 9조원대로 확대할 계획이다.

아울러 시스템LSI 사업에도 45나노 이하 공정을 적용하는 모바일, DTV 등 SOC 사업과 파운드리 사업 강화를 위해 2조원을 투자할 예정이다.

삼성전자는 글로벌 금융위기의 여파로 IT 경기가 침체됐던 지난해 D램에 19억달러, 낸드플래시에 11억달러 등 총 30억달러(원화 약 3조5000억원)을 투자한 바 있다.

지난 2007년에는 80억달러, 2008년에는 60억달러를 메모리 반도체 분야에 투자했었다.

삼성전자가 올해 메모리 반도체에 투자하는 9조원은 6 대 4의 비율로 D램과 낸드플래시 분야 투자에 집행될 전망이다.

하이닉스반도체(000660) 역시 투자확대를 검토하고 있다. 하이닉스의 올해 투자계획은 2조3000억원 수준.

하이닉스 관계자는 "현재 반도체 시황을 보면서 투자확대를 면밀히 검토하고 있다"라며 "하지만 현 시점에서 구체적으로 결정된 것으로 없다"고 말했다.

하이닉스가 올해 투자할 예정인 2조3000억원은 글로벌 반도체 업계 중 삼성전자, 이노테라에 이어 3위 수준이다.(그래프 참조)

▲글로벌 D램 업체 올해 CAPEX 추정치(단위 : 백만달러, 출처 : 아이서플라이)

업계 관계자는 "국내 반도체 업체는 경쟁사를 압도하는 기술력을 가지고 있다"라며 "다른 반도체 업체의 투자가 주춤한 사이에 국내 업체가 투자를 확대한다면 시장을 독식하는 수준까지 성장할 수 있을 것"이라고 말했다.

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