삼성·하이닉스 `내친김에 격차 더 벌린다`

[이데일리 조태현 기자] 지난해 4분기 부활에 성공한 국내 반도체 업계가 해외 경쟁사와 격차 벌리기에 나선다.

삼성전자(005930)는 29일 실적발표를 통해 반도체사업부문이 지난해 4분기 매출액이 전분기 대비 7.5% 증가한 8조200억원으로 집계됐다고 밝혔다.

영업이익은 전분기 대비 47.8% 급증한 1조7000억원을 기록했다. 반도체 사업부문이 3조7000억원의 영업이익을 기록한 삼성전자 전체 영업이익의 절반을 담당한 셈이다.

삼성전자는 이날 메모리반도체 시설투자와 관련해 "기존 발표한 5조5000억원의 투자계획 이상의 추가 투자를 검토하고 있다"고 밝혔다.

이는 거래선 요구 물량의 증가와 낸드플래시 30나노급 신공정 전환을 위한 추가 투자다.

낸드플래시 제조 공정을 30나노급 공정으로 전환하면 전반적인 제품의 원가구조가 개선된다.

현재 삼성전자의 낸드플래시 글로벌 점유율은 40%를 소폭 하회하는 수준. 30나노급으로 원활히 전환된다면 원가구조 개선과 더불어 시장 점유율에도 영향을 주게 될 것으로 전망된다.

아울러 삼성전자는 최근 각광받고 있는 DDR3 D램의 생산비중이 높여나간다는 방침이다. 삼성전자는 지난해 하반기 DDR3 생산비중은 대략 50%.

또 올해 D램 주력 공정을 40나노로 간다는 입장이어서 수익성 향상도 기대된다.

하이닉스반도체(000660) 역시 DDR3 비중을 높여나간다는 방침이다. 하이닉스는 연말까지 D램 생산 중 DDR3의 비중을 80%까지 높일 계획이다.

하이닉스의 지난해 4분기 2조7990억원의 매출액과 7080억원의 영업이익을 달성했다. 영업이익률은 25%로 삼성전자의 21%보다 높았다.
 
하이닉스의 올해 투자 계획은 2조3000억원 수준. 이는 지난해 1조원에 비해 두 배 이상 증가한 투자 계획이다.

업계에서는 올해 DDR3가 D램 시장에서 차지하는 비중을 상반기 50%, 연말 70%로 보고 있다.

아울러 PC업체들이 1분기에 DDR3를 탑재한 제품 비중을 60%까지 늘릴 계획인 것으로 알려졌다.

사실상 국내 업체가 DDR3 시장을 독점하고 있는 상황이라 이같은 글로벌 움직임에 따른 삼성전자와 하이닉스의 수혜가 예상된다.

지난 2년간 경쟁사와의 `치킨게임`으로 극심한 불황을 겪었던 국내 반도체 업계. 불황을 끝낸 올해 삼성전자와 하이닉스가 강력한 시장지배력을 보일 것으로 전망되고 있다. 

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