SK하이닉스, 올해 성장 핵심열쇠는 '20나노-M14-3D낸드'

[이데일리 장종원 기자] “올 하반기 초에는 20나노 초반 D램(2znm) 양산을 시작할 것입니다.”

박성욱 SK하이닉스 사장이 지난 20일 경기도 이천 본사에서 열린 정기주주총회장에서 기자들에게 던진 말이다. 그는 끊임없는 질문을 웃음으로 넘기다 차량에 오르기 직전 이 한마디를 남겼다.

올해 ‘하반기’로 예상하는 SK하이닉스(000660)의 20나노 초반 D램 양산 시점을 이르면 오는 7월로 못 박은 것이다. 20나노 초반 D램의 성공적이고 빠른 양산은 SK하이닉스의 지속 가능한 성장을 위한 핵심 경쟁력이 되는 만큼 절실함과 자신감이 함께 묻어났다.

20나노 초반 D램 ‘하반기 초’ 양산

SK하이닉스는 2년 연속 창사 이래 사상 최대 실적을 거뒀다. 2013년에는 매출 14조1651억원, 영업이익 3조3798억원을 기록했고, 지난해에는 이를 넘어선 매출 17조1256억원, 영업이익 5조1095억원을 달성했다. 주력 제품인 D램 시장 호황의 영향이 컸다.

하지만 내부에서는 끊임없이 ‘위기론’이 부각되고 있다. 반도체 사업의 특성상 D램 시장의 호황이 계속될 수 없는데다 경쟁사와의 기술 경쟁도 격화되고 있다.

박 사장은 “메모리 시장은 기술 난이도 증가로 인해 공정 전환과 양산성 확보의 어려움은 더욱 커진 반면, 고객들은 더 높은 품질의 제품을 안정적으로 공급받기를 원하고 있다”면서 “메모리 기업으로서 본원적 경쟁력이 매우 중요해지고 있다”라고 강조했다.

이런 측면에서 20나노 초반 D램 양산은 SK하이닉스의 고민을 덜어줄 핵심 열쇠다. 20나노 초반 D램 양산에 성공하면 경쟁력과 수익성을 동시에 높일 수 있다. 이미 20나노 D램을 양산하고 있는 삼성전자와의 미세공정 격차를 줄일 수 있다.

M14 신공장, TLC·3D 낸드 ‘성장동력’

SK하이닉스는 이천 M14 신공장 완공을 통한 업계 최고 수준의 양산체계 구축과 TLC(트리플레벨셀)와 3D(3차원 수직구조) 등 낸드(NAND) 소자 경쟁력 강화도 핵심 과제다.

총 투자비 2조1000억원을 쏟아부은 M14 공장은 이천의 노후화된 D램 공장을 대체할 핵심 제조 인프라다. 200㎜ 웨이퍼를 생산하는 시설을 300㎜ 웨이퍼용으로 개조해 사용함으로써 나타난 낮은 생산성을 극복할 수 있게 된 것이다.

M14는 올 상반기 완공 후 하반기부터 가동될 예정이다. SK하이닉스는 M14 공장을 통해 업계 최고 수준의 양산 체제를 구축할 계획이다.

성장세가 예상되는 낸드사업은 D램에 80%가 집중된 SK하이닉스 사업다각화 측면에서 의미가 크다. SK하이닉스의 TLC 낸드는 2분기, 3D 낸드는 3분기께 시장에 본격 공급될 것으로 업계는 전망하고 있다.

박 사장은 “낸드는 TLC와 3D 등 소자경쟁력을 강화하는 동시에 솔루션 역량을 보강해 올해 시장에서 확실한 입지를 굳히겠다“고 강조했다.

SK하이닉스는 올해 20나노 초반 D램의 성공적 양산과 신공장 M14를 통한 업계최고 수준의 양산체계 구축, TLC(트리플레벨셀)와 3D(3차원 수직구조) 등 낸드(NAND) 소자 경쟁력 강화를 적극 추진할 계획이다. 사진은 경기도 이천 SK하이닉스 공장 모습. SK하이닉스 제공

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