DB하이텍, 초고전압 전력반도체 사업 본격화

[이데일리 김응열 기자] 8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍은 최근 초고전압(UHV) 전력반도체 공정 기술을 업그레이드하며 사업을 본격화하고 있다고 27일 밝혔다.

초고전압 전력반도체 공정은 가전, 자동차, 통신, 산업 등 폭넓은 분야에서 모터를 구동하는 게이트 드라이버(Gate Driver) IC의 설계·제조를 지원한다. 전력반도체 IC 시장의 8%를 차지하고 있으며 지난해부터 2027년까지 연평균 109% 성장할 것으로 전망된다.

이번 공정 기술 업그레이드로 DB하이텍은 게이트 드라이버 IC에서 레벨 시프터(Level-Shifter) 절연방식과 갈바닉(Galvanic) 절연방식을 동시에 사용할 수 있는 환경을 제공한다. 이를 통해 고객들은 칩 설계가 용이한 레벨 시프터와 고전압 동작에서 안정성이 높은 갈바닉 절연 각각의 장점을 살릴 수 있으며 공정 활용 역시 기존 가전 분야에서 자동차, 태양광 분야로 확장될 전망이다.

DB하이텍은 경쟁 우위의 전력반도체 기술을 바탕으로 고부가·고성장의 초고전압 전력반도체 사업을 확대해 경쟁력을 제고한다는 방침이다.

아울러 향후 실리콘 전력반도체에서 구현할 수 있는 전영역대의 공정 기술을 확보하면서 응용분야별로 최적화된 게이트 드라이버 IC 설계 환경을 제공할 계획이다.

내년 1월 게이트 드라이버 IC 시장에서 10%로 가장 큰 비중을 차지하는 가전분야에 최적화된 600V급 공정을 제공하고 연내 전동킥보드 및 전기스쿠터용 200V급 공정과 방직기 및 공업용 1200V급 공정까지 순차적으로 확보하며 초고전압 전력반도체 경쟁력을 강화할 계획이다.

DB하이텍 부천캠퍼스 전경. (사진=DB하이텍)