하이닉스, `6F스퀘어` 도입…생산성 확 높인다

[이데일리 김종수 조태현 기자] 하이닉스반도체(000660)가 다음 세대인 30나노급 D램 공정부터 6F스퀘어(6F²) 기술을 도입한다.

20일 업계에 따르면 하이닉스는 30나노급 공정 개발을 이르면 연말까지 마무리하고 6F² 기술을 도입, 본격 양산에 돌입할 예정이다.

6F² 기술은 미국의 마이크론이 지난 2002년 130나노 공정에 최초로 도입했다. 이어 삼성전자(005930)가 2007년 1분기 80나노 공정에 도입했고, 엘피다는 2008년 1분기 65나노 공정에 적용했다.

6F²는 반도체의 집적도 향상을 위한 기술로, 반도체의 셀 크기를 줄이는 것을 말한다.

하이닉스는 지금까지 8F² 기술로 반도체를 생산해왔다. 이는 셀의 크기가 2Fx4F인 반도체를 말한다.

6F²는 셀의 크기를 2Fx3F로 줄여 생산성 향상을 가져오게된다. 이론상 약 15% 정도의 생산성 향상을 기대할 수 있다.

셀의 크기가 작아져 한 웨이퍼에서 생산할 수 있는 반도체의 수량이 늘어나기 때문이다. (그림 참조)

지금까지 하이닉스는 8F² 기술을 적용해 반도체를 생산해왔다. 그러나 30나노급 공정에 돌입하면서 8F² 기술로는 생산성 향상에 한계가 있다는 판단에 따라 6F² 기술을 적용하기로 한 것이다.

6F² 기술 도입이 하이닉스에 미칠 영향에 대해서는 견해가 엇갈리고 있다.

일각에서는 삼성전자 등 6F²를 도입한 회사들이 도입 초기에 수율 하락으로 고전했다는 점을 지적하고 있다.

업계 관계자는 "삼성전자가 6F² 기술을 도입한 이후 수율이 개선되기까지 3분기 정도의 시간이 걸렸다"며 "하이닉스도 당분간 고전할 가능성이 있다"고 설명했다.

그러나 6F²는 이미 어느 정도 성숙기에 들어선 기술인만큼 전혀 문제가 없다는 견해도 만만치 않다.

증권가의 한 관계자는 "하이닉스가 그동안 연구를 거듭한 만큼 수율 하락 등의 부작용 기간은 타 회사에 비해 크게 단축할 수 있을 것"이라고 말했다.

그는 "지금까지 8F² 기술을 적용한 것은 나노 공정에서 경쟁사보다 조금씩 앞서 6F² 기술을 적용해 생산하는 것과 동등한 수준의 생산성을 이룰 수 있었기 때문"이라며 "앞선 기술 적용으로 생산성이 보다 높아질 것"이라고 덧붙였다.