삼성 반도체, 세계 최초 4Gb D램 시대 개막

[이데일리 류의성기자] 삼성전자(005930)는 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 4기가비트(Giga bit) DDR3 D램(사진)을 개발했다고 29일 밝혔다.

삼성전자는 작년 9월 50나노 공정으로 2기가비트 DDR3 D램을 개발했었다. 5개월 만에 용량이 2배 늘어난 제품을 선보였다.

4기가비트 DDR3 D램은 서버용 16기가바이트(Giga Byte) RDIMM, 워크스테이션과 데스크탑 PC용 8기가 바이트(GB) UDIMM, 노트북용 8기가바이트(GB) SODIMM 등 대용량 모듈 개발에 적용된다.

패키지 적층 기술(DDP)을 적용하면 32기가바이트(GB) 모듈 개발도 가능하다.

특히 4기가비트 DDR3 D램은 저전력 설계기술이 적용돼 전력을 아낄 수 있다는 장점이 있다.
 
가령 16기가바이트 D램 모듈 제작시 1기가비트 D램은 단품 144개가 탑재되지만 2기가비트 D램를 사용할 경우 단품 72개로 전력을 40% 이상 아낄 수 있다.
 
하지만 이번에 개발된 4기가비트 D램의 경우는 36개만으로 제작할 수 있다. 2기가비트 D램 대비 40% 이상 전력 소비를 절감할 수 있다.
 
4기가비트 D램을 탑재할 경우 1기가비트 D램 대비 총 70%까지 전력 소비를 줄일 수 있다는 설명이다.

삼성전자는 데이터 센터 등 많은 서버를 설치하는 경우 전기료 이외에도 열 방출 장비나 파워 공급 설비의 유지보수 비용과 공간도 절약할 수 있다고 밝혔다.

삼성전자는 서버 시스템 당 메모리 탑재 용량이 2년마다 약 2배로 증가하고 있어 향후 고용량 메모리에 대한 수요가 증가할 것이라고 밝혔다.

삼성전자 관계자는 "4기가비트 DDR3 D램 양산 일정은 아직 미정"이라며 "앞으로도 차세대 고용량·고성능 제품을 개발해 고객 요구에 대응하고, 고부가가치 D램 매출을 확대해 경쟁 우위를 유지할 것"이라고 말했다.

한편, 반도체 시장 조사업체인 IDC에 따르면 세계 D램시장에서 DDR3 D램 시장 규모는 올해 29%, 2011년에는 75%를 차지할 것으로 예상된다.

DDR3 D램 가운데 2기가비트 이상의 비중도 올해 3%에서 2011년에는 33%로 증가할 것으로 전망된다.


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