12일 하이닉스에 따르면 이 제품은 기존 54나노 공정기술을 활용하면서 새로운 설계기술을 내부 신호처리에 도입했다.
이에 따라 기존 동작전압 1.5V를 유지하면서도 전력소모를 30% 줄일 수 있다는 점이 가장 큰 특징이다.
하이닉스의 2세대 1기가비트 DDR3는 에너지소모가 낮은 만큼 1기가비트 DDR3시장에서 타사 제품보다 유리하다.
하이닉스는 저전력 제품을 원하는 고객 수요에 적극 대응해 시장을 주도한다는 전략이다.
이번 4분기 양산예정인 44나노 2기가비트 DDR3 제품 등 향후 개발할 모든 제품에 이 설계기술을 적용할 계획이다. 이와 함께 올 연말까지 전체 D램 생산량에서 DDR3의 비중을 50%이상으로 확대할 방침이다.
하이닉스 관계자는 "노트북을 포함한 모바일 제품이나 대형 서버를 사용하는 데이터센터 등에서는 에너지 절약이 필수적인 과제"라고 말했다.
한편 시장조사업체인 아이서플라이에 따르면 현재 DDR3 D램 중에서 1기가비트 제품비중은 약 87%. 오는 2011년에는 2기가비트 제품비중이 절반이상 차지할 것으로 예상된다.
▶ 관련기사 ◀
☞하이닉스 "위기 이겨냈다..견조한 경영실적 기대"
☞하이닉스, 창립기념일 맞아 봉사활동 실시
☞`큰손` 국민연금이 석달간 사들인 종목은