삼성, D램 차세대 패키징 기술 개발

[이데일리 류의성 기자] 삼성전자(005930)가 차세대 패키징 기술을 적용해 두께와 소비전력을 줄인 8GB(기가바이트) DDR3 D램을 내놨다.

삼성전자는 7일 세계 최초로 3D-TSV(Through Silicon Via) 기술을 적용한 8GB DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다.

이 기술은 칩을 수직으로 적층해 관통 전극으로 연결한 최첨단 기법이다. 기존 와이어 본딩(칩을 와이어로 연결)방식보다 빠르게 동작하고 소비전력 40%을 줄일 수 있다.

삼성전자는 40나노급 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 3D-TSV 기술로 적층, 8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module) 제품으로 개발했다. 지난 10월 고객사 서버에 장착해 제품 성능 테스트를 완료했다.

이를 적용하면 기존 제품보다 2~4배 큰 메모리 용량을 구현할 수 있다. 서버에 적용하면 성능이 최소 50% 이상 향상된다는 것이 삼성전자 설명이다.

대용량 RDIMM의 경우 2Gb 칩을 와이어 본딩 방식으로 적층하면 서버 속도는 800Mbps다. 그러나 3D-TSV 방식으로 적층하면 동작속도는 1333Mbps로 70% 향상된다. 소비 전력은 40% 이상 낮출 수 있다.

삼성전자는 내년 이후 4Gb 이상 대용량 DDR3 D램에도 3D-TSV 기술을 적용해, 32GB 이상 대용량 서버용 메모리 제품을 확대해 나갈 예정이다.

또 서버 업체는 물론 CPU, 컨트롤러 업체들과의 협력을 강화해 3D-TSV 서버 모듈 제품의 시장 기반을 더욱 넓혀 나갈 계획이다.

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

김창현 삼성전자 반도체사업부 전무는 "2008년에 3D-TSV 적층 칩을 개발한 데 이어, 이번에 서버용 메모리 모듈을 개발함으로써 고객들이 최고 성능의 친환경 서버를 개발하는데 크게 기여할 수 있게 됐다"고 말했다.

김 전무는 "앞으로도 3D-TSV 기술 기반의 대용량 메모리 솔루션을 지속적으로 출시해 고성능 서버 시장의 성장을 견인하는 그린 메모리 시장을 주도하겠다"고 덧붙였다.

한편 업계에서는 서버 시장에서 클라우딩 컴퓨터의 비중이 늘어나 향후 3년간 고성능 서버에 탑재되는 메모리 용량은 두 배 이상 증가될 것으로 전망하고 있다.

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