지식경제부는 25일 "삼성전자와 하이닉스가 `신 메모리 공동 R&D` `반도체산업 표준화` `장비·재료 국산화 확대` 등 3대 부문 기술협력을 추진키로 합의했다"고 밝혔다.
이에 따르면 삼성전자와 하이닉스는 오는 9월부터 테라비트급 차세대 반도체 원천기술 개발을 위한 공동 R&D를 본격 시작한다. 이를 통해 샌디스크와 램버스 등 해외 업체로 매년 빠져 나가는 수억달러 상당의 특허료를 줄이고 오히려 특허료를 받을 수 있도록 한다는 계획
두 회사는 오는 2012년 시장이 형성될 것으로 예상되는 `STT-M램`을 중점 개발하게 되며 원천기술 선점시 연간 5억달러 이상의 로열티 효과를 얻는 다는 목표를 갖고 있다. 특히 공동 R&D를 통한 차세대 반도체 지적재산권 선점은 향후 일본과 대만, 중국 등 경쟁국 특허견제와 함께 국제 특허분쟁 공동대응이 가능한 한국형 `IP 컨소시엄`으로 발전시킬 계획이다.
이와 함께 삼성전자와 하이닉스, 그리고 동부하이텍은 지난해부터 진행한 `장비·재료 성능평가` 지원사업을 확대, 장비·재료 국산화율을 높이고 국내 반도체장비업체가 수출형 중소기업으로 커 갈 수 있도록 지원한다. 삼성전자와 하이닉스는 총 6463억원 상당의 국산 장비와 재료를 추가 구매하게 된다.
지경부는 "오는 2015년 시스템반도체 시장점유율 10% 달성을 목표로 핵심 IP 및 플랫폼 개발 등 4대 전략, 13개 추진과제를 업계 공동으로 설정, 연구개발부터 해외 마케팅까지 지원할 계획"이라고 덧붙였다.
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