삼성전자(005930)는 12일 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 2기가비트 DDR 2D램 개발에 성공하고 인텔 인증을 획득했다고 밝혔다.
삼성전자는 올해 말부터 이 제품의 양산을 개시할 예정이라고 설명했다.
올해 3월 60나노급 1기가비트 DDR2 D램을 세계 최초로 양산한 삼성전자는 기존에 이미 양산 중인 512메가비트 D램을 포함하여 이번에 2기가비트 제품까지 확보하게 됐다.
이번에 개발한 60나노급 2기가 D램은 2004년 개발한 80나노 2기가 D램의 최대 속도 667Mbps(초당 667메가비트의 데이터 처리) 대비 20% 가량 성능이 향상된 800Mbps 구현이 가능하고, 생산성도 40% 이상 향상되었다.
이번에 개발된 2기가비트(Gb) DDR2 D램은 8기가바이트(GB) 서버용모듈(FBDIMM, RDIMM)과 워크스테이션, 데스크탑 PC, 노트북 PC 등에 탑재되는 4기가바이트 모듈 (UDIMM, SODIMM)등 기존 대비 메모리 용량을 2배로 높일 수 있는 솔루션을 제공하여 메모리 용량 확대를가속화 시킬 것으로 예상된다.
또한 기존에 1기가 D램 36개로 구성된 4기가바이트 D램 모듈을 2기가 18개로 대체할 수 있기 때문에, 1기가 D램으로 구성된 모듈 대비 30% 이상 전력을 절감할 수 있고, 그에 따라 시스템 작동시 발열량을 줄이고 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있다.
한편, 반도체 시장 조사기관인 데이터 퀘스트 (Gartner Dataquest)에 따르면 세계 2기가 D램 시장은 올해부터 시장이 형성되어 '2011년 140억 불 규모로 성장, 전체 D램 시장에서 47%를 차지할 것으로 전망되고 있다.
▶ 관련기사 ◀
☞삼성전자, 세계최초 60나노급 2기가 D램 개발(1보)
☞전세계 펀드매니저, 소리없이 사는 기술株는
☞코스피 혼조세..상하이· 뉴욕 영향력 중첩