이번에 개발된 신기술은 LCD를 비롯해 AMOLED, 플렉서블 디스플레이 등 차세대 디스플레이와 반도체, 태양전지 등에도 적용할 수 있어 기초기술 분야에서 새로운 입지를 다졌다는 평가다.
삼성전자는 15일 미국 샌프란시스코에서 열린 세계 3대 반도체 학술 모임인 `2008 세계전자소자학회(IEDM; IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING)`에서 이 기술을 발표한다.
이번에 발표한 기술은 기존 산화물 박막 트랜지스터의 단일 채널 구조를 이중 채널 구조로 변경해 기존보다 3배 이상 향상된 세계 최고수준의 전자 이동도(~130㎠/V.sec)를 확보했다. 또 문턱전압(Threshold Voltage; 박막 트랜지스터를 동작시키는 전압)을 제어할 수 있도록 했다.
삼성전자가 구현한 이중 채널 구조는 이동도가 큰 산화물과 필요한 문턱전압을 갖는 산화물을 접합한 것이다.
또 투명한 특징이 있어 고글, 건물의 유리창, 자동차 유리 등 투명 디스플레이에도 적용할 수 있다.
특히 빠른 속도와 함께 문턱전압의 제어가 가능해 반도체 분야에도 적용할 수 있어 전자산업 전반에 걸쳐 파급 효과가 클 것으로 기대하고 있다.
이 기술의 또 하나의 장점은 제조 공정이 현재 LCD 디스플레이 양산 공정과 동일해 신규 투자비를 최소화 할 수 있으며, 주변회로를 패널 내부에 내장할 수 있어 제품 단가를 크게 낮출 수 있다는 것이다.
삼성전자 김영환 전무는 "이 기술을 중장기적으로 플렉서블(Flexible) 또는 투명 디스플레이에 적용할 뿐 아니라, 이동도 때문에 제약됐던 반도체 주변회로까지 응용을 확대해 반도체 소자의 핵심 기술로 발전시킬 계획"이라고 말했다.
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