3분기 메모리 사업은 낸드의 경우 48단 V-NAND 공정 전환을 지속 추진하고, D램은 수요가 집중된 20나노 제품 출하량을 크게 늘려 전분기 대비 실적이 대폭 개선됐다고 설명했다.
삼성전자는 4분기에도 48단 V-NAND와 20나노 D램 등 앞선 경쟁력을 바탕으로 수익성 중심 제품 판매에 집중해 실적 향상을 지속 추진할 계획이다.
시스템LSI 사업은 3분기는 14나노 파운드리 수요 호조, 중저가 모바일 시스템온칩(SoC) 판매 확대, 중국에 대한 이미지센서 매출 증가에 힘입어 견조한 실적을 달성했다.
4분기와 내년에는 10나노 공정 제품 양산을 본격화하고 14나노 거래선과 응용처도 더욱 다변화해 성장세를 지속해 나갈 계획이라고 삼성전자측은 밝혔다.
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