삼성전자, 세계 최초 30나노 D램 개발

[이데일리 조태현 기자] 삼성전자(005930)가 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 개발했다.

삼성전자는 지난해 1월 40나노급 D램 개발 이후 1년 만에 30나노급 차세대 공정으로 2Gb DDR3 D램 개발에 성공했다고 1일 밝혔다.

삼성전자는 이번에 개발한 D램을 올해 하반기부터 본격적으로 양산한다는 계획이다.

30나노급 D램 공정 적용으로 지난해 7월 양산에 들어간 40나노급 D램보다 약 60%의 생산성 향상이 기대된다고 삼성전자는 설명했다.

아울러 50나노급 D램과 비교해 소비전력을 약 30% 절감할 수 있으며, 40나노급 D램보다는 15%의 전력 절감이 기대된다.

삼성전자는 또 30나노급 2Gb DDR3 D램에 혁신적인 설계 기술을 적용해 업계 최고 수준인 1.866Gbp(PC솔루션 기준)의 데이터 처리 속도를 구현했다고 설명했다.

삼성전자는 올해 하반기 30나노급 D램 양산을 계기로 전력소비가 큰 서버는 물론 노트PC 등 휴대용 제품에까지 적극적으로 `그린 메모리` 판매 비중을 확대해 나간다는 전략이다.

조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 "이번 제품 개발로 경쟁사와의 제조 경쟁력 격차를 1년 이상 벌려놓았다"며 "D램 시장에서 점유율을 지속적으로 확대해나갈 것"이라고 말했다.


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