`서버 속도 높였다`…삼성전자, 반도체 신제품 개발

[이데일리 조태현 기자] 삼성전자(005930)는 업계 최초로 3D-TSV 기술을 적용한 서버용 32GB(기가바이트) D램 모듈을 개발했다고 17일 밝혔다.

3D-TSV(실리콘 관통 전극) 기술은 수십 ㎛(마이크로미터) 두께의 실리콘칩에 직접 구멍을 뚫고 동일한 칩을 수직으로 쌓아 관통 전극으로 연결한 반도체 패키징 기법이다.

이 기술을 적용하면 반도체의 속도와 용량 등 성능을 높일 수 있다고 삼성전자는 설명했다.

삼성전자는 지난해 40나노급 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 3D-TSV 기술로 적층한 8GB DDR3 RDIMM 제품을 개발했었다. 이번에는 30나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 3D-TSV 32GB RDIMM을 개발한 것.

이 제품을 탑재하면 기존 32GB RDIMM 제품 서버에 비해 67% 빠른 동작을 구현할 수 있다고 회사 측은 강조했다. 소비전력 역시 30% 정도 절감할 수 있다.

홍완훈 삼성전자 DS사업총괄 메모리사업부 부사장은 "앞으로도 성능을 더욱 높인 대용량 메모리 반도체를 공급해 프리미엄급 시장을 공략할 것"이라고 말했다.

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