하이닉스, 투자 확대…`D램 경쟁력 강화한다`(종합)

[이데일리 조태현 기자] 하이닉스반도체(000660)가 올해 투자규모를 3조500억원 수준으로 확대한다.

확대된 투자금액 대부분은 40나노급 D램 공정전환에 사용될 예정이다. 이를 통해 원가경쟁력을 한층 끌어올리겠다는 전략이다.

하이닉스는 최근 메모리반도체 시장환경 변화에 따라 올해 투자금액을 3조500억원으로 확대한다고 31일 밝혔다.(관련기사 ☞ 하이닉스, 3조1000억원으로 투자 확대(2010.05.28 14:34) 

하이닉스가 애초 계획한 올해 투자금액은 2조3000억원. 이보다 7500억원을 확대하는 것이다.

하이닉스는 지난해 1조원을 투자한 바 있다. 올해 투자금액은 지난해 투자금액보다 3배 정도 늘어난 수치다.

이는 최근 탄탄한 수요에 따라 서버·그래픽·모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 요구에 적극적으로 대응하기 위한 방안으로 풀이된다.

아울러 차세대 제품 개발을 위한 연구개발(R&D)에도 투자를 확대해 기술경쟁력을 강화한다는 방침이다.

이번 투자는 물량 확대보다 공정 전환 부문에 주로 사용될 예정이다.

하이닉스 관계자는 "현재 약 15% 수준인 40나노급 D램 제품비중을 연말까지 약 50% 수준으로 확대할 계획"이라며 "이번 투자 확대 금액은 대부분 40나노급 D램 공정전환에 사용될 예정"이라고 말했다.

40나노급 D램은 50나노급 공정보다 생산성이 50% 이상 향상된다. 하이닉스는 공정전환을 바탕으로 DDR3 등 최근 공급이 부족한 제품을 적기에 공급해 수익성을 높인다는 계획이다.
 
낸드플래시에 대해서는 "애초 발표했던 투자금액에는 낸드플래시에 대한 투자 등이 포함돼 있다"며 "큰 변경 없이 당초 계획대로 투자를 진행할 예정"이라고 설명했다.

하이닉스가 D램에 대한 투자를 확대하는 것은 최근 반도체 시황이 탄탄한 점과 무관하지 않다.

주력 제품인 DDR2 1Gb(기가비트)와 DDR3 1Gb 제품의 고정거래가는 지난해 하반기부터 꾸준한 상승세를 보이고 있다.

여기에 D램 공급부족 현상이 올해 중에는 계속될 것으로 보이는 점도 투자확대 결정에 영향을 준 것으로 풀이된다.

현재 D램, 특히 DDR3의 공급부족이 심각해 일부 PC제조사는 제품의 설계를 DDR2로 바꿀 정도인 것으로 알려졌다.

아울러 경쟁업체인 삼성전자(005930)가 반도체사업에만 올해 11조원을 투자하기로 하는 등 공격 투자에 나선 점도 영향을 준 것으로 보인다.

하이닉스 관계자는 "미세공정전환 가속화와 차세대 제품 개발역량 집중으로 경쟁사들과의 원가 및 기술 경쟁력 격차를 더욱 확대할 것"이라고 강조했다.

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