이로써 삼성전자는 앞선 미세회로 공정 기술력을 입증하게 됐고, 예정대로 연말쯤 양산이 이뤄지면 원가 경쟁력도 한층 높일 수 있을 것으로 예상된다.
삼성전자는 288KB EEPROM을 내장한 스마트카드칩을 개발하고 이 제품에 처음으로 90나노 공정을 적용했다고 12일 밝혔다.
특히 이 제품의 경우 288KB EEPROM과 함께 삼성전자가 자체 개발한 고성능 CPU(16bit CalmRISCTM) 기반에 16.5KB SRAM과 384KB ROM을 탑재해 저장 용량을 크게 높였다.
실제 유럽 등에서 최근 확산되고 있는 모바일 TV 시청을 위해서는 모바일 인증과 모바일 결제 기능이 필요하며 이를 원활히 구동하기 위해서는 수십KB의 추가 메모리 용량과 높은 속도의 암호화 프로세서가 요구된다.
미국 상무부에서 공표한 암호화 표준 3-DES, 비대칭 방식 암호화 표준인 RSA(Rivest Shamir Adleman)와 ECC(Elipstic Curve Cryto), 삼성이 독자 개발한 암호화 프로세서 `Tornado` 등이 적용됐다.
삼성전자는 또 288KB EEPROM 외에도 72KB와 144KB EEPROM이 내장된 스마트카드 칩도 함께 개발함으로써 다양한 고객의 요구에 대응할 수 있는 제품 포트폴리오를 갖추게 됐다.
삼성전자는 이번에 개발한 90나노 EEPROM 신제품 3종을 이달부터 국내외 스마트카드 업체에 샘플로 공급하기 시작해 올해 말 본격 양산할 예정이다.
90나노 공정 기술이 적용된 320KB/410KB 플래시메모리 내장형 스마트카드 칩은 오는 11월, 12월에 각각 샘플로 공급할 예정이다.
한편 시장 조사기관인 프로스트 앤 설리번(Frost&Sullivan)에 따르면 스마트카드 수요는 올해 40억7000만개에서 2012년 75억3000만개 규모로 증가, 연평균 17%씩 성장할 전망이다.
삼성전자는 지난 2006년부터 SIM 카드용 스마트카드 칩 분야에서 세계 시장점유율 1위를 유지해오고 있으며 최근 발표된 가트너 등 시장조사기관에 따르면 출하량 기준으로 지난해 스마트카드 칩 전체 시장에서 1위 자리에 올랐다.
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