엘피다, 8G D램 TSV 공정기술 개발

[이데일리 양미영기자] 일본 엘피다가 세계 최대 용량의 D램 제조를 위해 TSV(Through Silicon Via) 전극을 이용해 8개 짜리 1기가(G) D램을 수직으로 포개는 기술을 개발했다고 6일 니혼게이자이신문이 보도했다.

지금까지는 삼성전자(005930)가 4개 칩을 구성해 만든 패키지가 최고 기록이었다.

TSV는 반도체 공정기술 중 하나로 칩 용량을 높이기 위해 칩 조각 가장자리를 전선으로 연결하는 대신, 칩에 구멍을 뚫어 실리콘을 포개 메모리 용량을 높이는 방법. 이 기술을 이용한 D램은 기존 3D D램 보다 더 작고, 빠를 뿐만 아니라 데이터 전송 시 전력 소모도 적어진다.

엘피다는 각각의 칩에 1030개의 구멍을 내면서도 1000개 이상 구멍을 낼 때 생기는 뒤틀림을 방지해 8개의 칩을 포갤 수 있게 됐다.

엘피다는 이를 위해 히로시마 공장에 50억엔을 투자했으며 올해 연말까지 샘플 출하를 목표로 하고 있다. 또 2010년 중반까지 2G D램을 8개를 포갠 16G 패키징도 견본화하기로 했다.

신문은 엘피다가 삼성과 같은 업체들의 막대한 자금력을 따라잡을 수는 없다며 따라서 TSV D램 과 같은 부가가치 상품을 위한 독점 기술 개발이 그들의 전략일 수 밖에 없다고평가했다.

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