삼성전자-하이닉스 차세대 메모리 R&D 손잡는다

[이데일리 김수연기자] 삼성전자(005930)와 하이닉스반도체(000660)가 차세대 메모리분야 원천기술을 확보하기 위해 공동 연구개발에 나섰다.

24일 산업자원부에 따르면 삼성전자와 하이닉스는 비휘발성 메모리 분야 정부 R&D 성과 중 8건의 원천특허를 구매하고, 차세대 메모리반도체(STT- MRAM 등) R&D에 공동으로 참여키로 합의했다.

세계 1위 메모리 국가인 우리나라는 핵심 소자구조 등 원천기술을 여전히 해외에 의존, 인텔과 도시바 등에 매년 수억불의 특허 사용료를 내는 형편이다.

산자부에 따르면 양사가 공동 R&D에 나서게 된 것은 차세대메모리 시장에서의 국가간 경쟁이 갈수록 심해지기 때문이다. 일본은 이미 차세대메모리 원천기술 조기 개발에 나서 메모리반도체 정상 탈환을 노리고 있다.

삼성전자와 하이닉스는 올해부터 2년간 90억원의 현금 및 현물을 투입, 테라비트급 차세대 메모리소자 원천기술 공동 R&D를 추진한다.

산자부는 "90년대 6메가 D램 개발당시와 같은 국내 업계간 협력체제가 부활할 것으로 기대된다"고 밝혔다.


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