[이데일리 성문재 기자] 메모리반도체 업계의 주력품목이 의미있는 변화를 보이고 있다. 새로운 정보기술(IT) 제품들의 등장에 따라 더 빠르고 전력 소모가 적은 메모리반도체를 원하는 수요가 커진 데 따른 것이다.
삼성전자(005930),
SK하이닉스(000660) 등 세계 메모리반도체 시장을 주도하고 있는 우리 업체들은 꾸준한 투자를 통해 시장 상황에 대응해온 만큼 이같은 변화가 시장 지배력 강화의 모멘텀이 될 수 있다.
18일 글로벌 시장조사업체 IHS에 따르면 D램 전체 시장에서 매년 비중을 높여가고 있는 모바일 D램은 내년에는 출하 점유율 40%를 돌파할 전망이다. 모바일 D램은 지난 2010년부터 전체 D램 출하량 대비 비중이 두자릿수를 기록하기 시작해 2012년 22.6%, 지난해 32.2%로 꾸준히 입지를 다져왔다. 올해 36.1%를 넘어 내년에는 41.7%를 차지할 것으로 예상된다.
| 그래픽=이미나 기자 |
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그동안 D램 시장을 평정해 왔던 PC용 D램 대표 제품들을 추월해 출하비중 1위에 오르는 것은 내년이 처음이다. D램 시장은 그동안 PC용 D램으로 대표돼왔다. 몇년전까지만 해도 PC용 D램을 ‘메인메모리’로 불렀던 것이 대표적인 예다. 그러나 스마트폰 등장 이후 모바일 제품이 빠르게 보급되면서 모바일 D램의 비중이 급상승했고 현재는 PC용 D램의 아성을 위협하고 있다.
모바일 D램 분야 내에서도 내년에 주력제품의 변화가 있다. 지난해와 올해는 LP DDR3 제품이 모바일 D램 출하량의 절반 이상을 차지하며 시장을 대표했지만 내년에는 LP DDR4 제품의 비중이 LP DDR3를 넘어설 것이라고 IHS는 내다봤다.
| 모바일 D램 시장에서 주요 제품별 출하량 비중 추이(단위: %, 자료: IHS) |
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LP DDR4는 LP DDR3에 비해 데이터 전송속도가 빠를뿐만 아니라 소요 전력량도 적어 지난해 출시 이후 가파른 성장세를 나타내고 있다. 모바일 D램 시장에서 출하 비중이 지난해 0.3%에서 올해 22.3%를 찍고 내년에 46%를 기록할 전망이다. 반면 LP DDR3는 지난해와 올해 각각 50.6%, 54.6%에서 내년에 42.3%로 비중 축소가 예상된다.
D램과 함께 메모리반도체 시장을 대표하는 낸드플래시 분야에서도 2016년을 기점으로 확연한 변화가 나타난다.
저장방식에서 트리플레벨셀(TLC)이 내년에 처음으로 과반을 차지하며 대세를 이룰 것으로 보인다. 10나노 중반급 공정 이후 공정 미세화가 쉽지 않은 낸드플래시는 데이터를 저장하는 셀(Cell)에 더 많은 데이터를 저장할 수 있는 방식을 통해 한계를 극복했다. 싱글레벨셀(SLC)은 1개의 셀에 1비트를 저장하지만 멀티레벨셀(MLC)은 2비트, 트리플레벨셀은 3비트의 데이터를 저장할 수 있다.
용량으로는 16GB(기가바이트) 낸드플래시 제품이 8GB를 제치고 대세(49.5%)로 자리잡을 예정이다.
| 낸드플래시 시장에서 저장방식별 점유율 추이(단위: %, 자료: IHS) |
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업계 관계자는 “모바일 D램, LP DDR4, TLC 등으로의 변화는 예견된 것으로 주요 업체들은 이미 포트폴리오 조정이나 생산장비 업그레이드를 통해 대응해왔다”며 “반도체는 전자제품의 부품으로써 생산 계획이 고객 주문에 좌우되는 만큼 이같은 주력제품 변화는 결국 수요 단계에서의 니즈를 반영한 것”이라고 설명했다.
또다른 업계 관계자는 “2016년은 새로운 제품들이 일제히 시장 내 최대 비중으로 올라서는 의미있는 해”라며 “시장 변화에 발빠르게 대응해온 주요 선도업체들의 지배력이 더욱 강화될 것”이라고 말했다.
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